一种消除铌酸锂热电效应的D型光纤M-Z电光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113917712B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202111210037.3

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分:光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输,逐渐耦合进入耦合区波导,分成两路经调制区波导后产生相位差,经耦合区干涉实现强度调制,并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面,形成回路,将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉,帮助器件散热,并有利于实现阻抗匹配,提高调制器效率,保障器件工作稳定。

    一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器

    公开(公告)号:CN114384632B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202210056279.X

    申请日:2022-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器,采用包括第一波导和第二波导的双台阶式波导结构,第一波导和第二波导均为反向锥形波导结构,其过渡方式均为抛物线型过渡;第一波导的大端面和第二波导的大端面对齐,第一波导的大端面为阵列波导光栅输出光的入射面,第二波导的小端面为出光面,原本被限制在第一波导芯层中的光耦合到第二波导的芯层中,从而缩小模场,使阵列波导光栅中的模场转换为波导型探测器脊形波导中的模场,实现阵列波导光栅与波导型探测器模场的匹配。本发明采用端面耦合的方式,将光场从侧面耦合进吸收区,减少光场在波导传播过程中的损耗与散射,进而增加了光耦合效率,便于光电探测器的集成应用。

    一种基于级联波导的双阶梯结构端面耦合器

    公开(公告)号:CN114675372B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202210362195.9

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于级联波导的双阶梯结构端面耦合器,由第一波导和第二波导级联组成;在第一波导上引入脊波导;脊波导和第一波导的端面平齐,形成耦合器的初始输入端面,初始输入端面与AWG输出波导的尺寸完全匹配;脊波导的长度与第一波导长度相等,脊波导的宽度由初始输入端面向其输出端面逐渐减小,脊波导在第一波导上的投影为等腰梯形;第二波导采用由波导输入端面向波导输出端面三维减缩的正锥型结构,第二波导输入端面与第一波导输出端面的尺寸相匹配,第二波导的输出端面与光电探测器的脊波导尺寸完全匹配,第一波导、第二波导和脊波导呈现双阶梯结构。本发明的耦合器,体积小、损耗低、误差容限高,可以实现不同尺寸的波导的高效耦合。

    一种基于辅助波导的非线性锥形耦合器

    公开(公告)号:CN114966966A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210570365.2

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于辅助波导的非线性锥形耦合器,包括一个耦合器主体和两个辅助波导,耦合器主体由五段宽度变化率不同的锥形波导组成,将该耦合器用于氮化硅单模波导与二氧化硅单模波导耦合,耦合效率可达92.3%,此外在耦合器主体的末端两侧对称地设置两个辅助波导,耦合效率可达96%以上,对准耦合误差容限超过1.3μm,相比于光栅耦合器具有耦合效率高、偏振损耗低、工作带宽大的优点;相比于传统倒锥形耦合器,通过应用非线性结构大大减少了耦合器尺寸,提高了器件的集成度,具有体积小、误差容限高的特点,可以应用在不同尺寸光器件集成中。

    一种用于波导耦合的双悬臂倒锥模斑转换结构

    公开(公告)号:CN114397730A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202210093924.5

    申请日:2022-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种用于波导耦合的双悬臂倒锥模斑转换结构,由输入波导、多模波导干涉区、两个输出波导以及输出波导后端的抛物线形倒锥结构构成,光波从输入波导进入多模波导干涉区,利用自映像效应使输入光波在输出波导截面上产生多个像,分束后的光波在输出波导中传播,输出波导通过抛物线形倒锥结构的横截面逐渐减小,使几个输出波导的光波扩散至包层中,以便和大尺寸波导耦合。与传统的单倒锥形耦合器相比,本发明采用了双悬臂抛物线形倒锥结构,提升了对准容差,可将较小尺寸波导传输光的小模场转化为大模场,从而高效耦合至较大尺寸波导中,同时抛物线形倒锥结构所在包层悬空,避免了衬底泄露,减小了光信号传输时的损耗。

    一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器

    公开(公告)号:CN114384632A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202210056279.X

    申请日:2022-01-18

    Abstract: 本发明公开了一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器,采用包括第一波导和第二波导的双台阶式波导结构,第一波导和第二波导均为反向锥形波导结构,其过渡方式均为抛物线型过渡;第一波导的大端面和第二波导的大端面对齐,第一波导的大端面为阵列波导光栅输出光的入射面,第二波导的小端面为出光面,原本被限制在第一波导芯层中的光耦合到第二波导的芯层中,从而缩小模场,使阵列波导光栅中的模场转换为波导型探测器脊形波导中的模场,实现阵列波导光栅与波导型探测器模场的匹配。本发明采用端面耦合的方式,将光场从侧面耦合进吸收区,减少光场在波导传播过程中的损耗与散射,进而增加了光耦合效率,便于光电探测器的集成应用。

    一种基于级联波导的双阶梯结构端面耦合器

    公开(公告)号:CN114675372A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210362195.9

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于级联波导的双阶梯结构端面耦合器,由第一波导和第二波导级联组成;在第一波导上引入脊波导;脊波导和第一波导的端面平齐,形成耦合器的初始输入端面,初始输入端面与AWG输出波导的尺寸完全匹配;脊波导的长度与第一波导长度相等,脊波导的宽度由初始输入端面向其输出端面逐渐减小,脊波导在第一波导上的投影为等腰梯形;第二波导采用由波导输入端面向波导输出端面三维减缩的正锥型结构,第二波导输入端面与第一波导输出端面的尺寸相匹配,第二波导的输出端面与光电探测器的脊波导尺寸完全匹配,第一波导、第二波导和脊波导呈现双阶梯结构。本发明的耦合器,体积小、损耗低、误差容限高,可以实现不同尺寸的波导的高效耦合。

    太赫兹信号垂直腔面发射器及其制作方法

    公开(公告)号:CN112736643B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202110003808.5

    申请日:2021-01-04

    Abstract: 本公开实施例提供了一种太赫兹信号垂直腔面发射器及其制造方法,包括:有源层,包括第一发光子层、第二发光子层及运输匹配子层;中分布反射镜层,位于第一发光子层远离第二发光子层的一侧;中分布反射镜层包括多个交替排布的第一高折射率子层与第一低折射率子层;欧姆接触层,位于中分布反射镜层远离有源层的一侧;上分布反射镜层,位于欧姆接触层远离中分布反射镜层的一侧,包括多个交替排布的第二高折射率子层与第二低折射率子层;下分布反射镜层,位于有源层远离欧姆接触层的一侧,包括多个交替排布的第三高折射率子层与第三低折射率子层;非线性晶体层,位于上分布反射镜层远离欧姆接触层的一侧。

    一种消除铌酸锂热电效应的D型光纤M-Z电光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113917712A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111210037.3

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本发明涉及了一种可以消除铌酸锂热电效应的D型光纤M‑Z电光调制器。该调制器包括以下部分:光纤波导区、耦合区、调制区、消除热电效应区、平板波导区、D型光纤波导区。光经光纤波导区传输,逐渐耦合进入耦合区波导,分成两路经调制区波导后产生相位差,经耦合区干涉实现强度调制,并通过耦合区逐渐耦合进入光纤波导。消除热电效应区包裹于D型光纤波导区与平板波导区的Z面,形成回路,将M‑Z电光调制器工作过程中产生的热电荷对外加电场的影响消除掉,帮助器件散热,并有利于实现阻抗匹配,提高调制器效率,保障器件工作稳定。

    一种基于辅助波导的非线性锥形耦合器

    公开(公告)号:CN114966966B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202210570365.2

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于辅助波导的非线性锥形耦合器,包括一个耦合器主体和两个辅助波导,耦合器主体由五段宽度变化率不同的锥形波导组成,将该耦合器用于氮化硅单模波导与二氧化硅单模波导耦合,耦合效率可达92.3%,此外在耦合器主体的末端两侧对称地设置两个辅助波导,耦合效率可达96%以上,对准耦合误差容限超过1.3μm,相比于光栅耦合器具有耦合效率高、偏振损耗低、工作带宽大的优点;相比于传统倒锥形耦合器,通过应用非线性结构大大减少了耦合器尺寸,提高了器件的集成度,具有体积小、误差容限高的特点,可以应用在不同尺寸光器件集成中。

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