公开(公告)号：CN110874826B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911126984.7

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  张芳沛 ,  王雪姝

IPC: G06T5/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明实施例提供了一种图像去雾化方法、装置及电子设备，其中，方法包括：获取待去雾化图像以及盲去雾化模型；将所述待去雾化图像输入神经网络中，得到所述待去雾化图像的模糊核，其中，所述神经网络的损失函数是根据所述盲去雾化模型得到的，所述盲去雾化模型包括：暗通道先验；将所述模糊核代入盲去雾化模型中，得到非盲去雾化模型；根据所述非盲去雾化模型，对所述待去雾化图像进行去雾化，得到清晰图像。采用本发明实施例提供的技术方案在对图像进行去雾化时，可以提高盲去雾化模型的泛用性，从而提高对图像去雾化的准确性。

公开(公告)号：CN111445489A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201911126971.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  张芳沛 ,  王元

IPC: G06T7/13 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明实施例提供了一种离子束入射角度确定方法及装置，方法包括：获取放置在工作台上的待镀膜工件的深度图像及彩色图像；对所述彩色图像进行边缘检测，确定所述彩色图像中的边缘像素点；确定所述边缘像素点在所述深度图像中对应的像素值；根据所述边缘像素点对应的像素值及所述待镀膜工件的尺寸，确定所述离子束入射角度。应用本发明实施例，可以确定离子束入射角度，无需工作人员手动设置，可以提高离子束镀膜的精准度及均匀度，避免靶材浪费。

公开(公告)号：CN111445489B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201911126971.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  张芳沛 ,  王元

IPC: G06T7/13 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明实施例提供了一种离子束入射角度确定方法及装置，方法包括：获取放置在工作台上的待镀膜工件的深度图像及彩色图像；对所述彩色图像进行边缘检测，确定所述彩色图像中的边缘像素点；确定所述边缘像素点在所述深度图像中对应的像素值；根据所述边缘像素点对应的像素值及所述待镀膜工件的尺寸，确定所述离子束入射角度。应用本发明实施例，可以确定离子束入射角度，无需工作人员手动设置，可以提高离子束镀膜的精准度及均匀度，避免靶材浪费。

公开(公告)号：CN110825032B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911127647.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  吴胜 ,  任国庆

IPC: G05B19/408 ,  G06N20/00 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明实施例提供了一种离子束刻蚀加工的工艺参数确定方法、装置及电子设备，方法包括：从预先设置的工艺参数数据集中获取工艺参数组；将每个所述工艺参数组输入离子束刻蚀速率预测模型，根据所述工艺参数组包括的工艺参数，确定每个所述工艺参数组对应的离子束刻蚀速率；将所述离子束刻蚀速率中大于所述预设离子束刻蚀速率的离子束刻蚀速率去除；确定所述离子束刻蚀速率中最大的离子束刻蚀速率对应的工艺参数组包括的工艺参数，作为目标工艺参数。应用本发明实施例，可以方便确定最高的离子束刻蚀速率对应的工艺参数，提高工作效率。

公开(公告)号：CN110874826A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201911126984.7

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  张芳沛 ,  王雪姝

IPC: G06T5/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明实施例提供了一种图像去雾化方法、装置及电子设备，其中，方法包括：获取待去雾化图像以及盲去雾化模型；将所述待去雾化图像输入神经网络中，得到所述待去雾化图像的模糊核，其中，所述神经网络的损失函数是根据所述盲去雾化模型得到的，所述盲去雾化模型包括：暗通道先验；将所述模糊核代入盲去雾化模型中，得到非盲去雾化模型；根据所述非盲去雾化模型，对所述待去雾化图像进行去雾化，得到清晰图像。采用本发明实施例提供的技术方案在对图像进行去雾化时，可以提高盲去雾化模型的泛用性，从而提高对图像去雾化的准确性。

公开(公告)号：CN110825032A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911127647.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  吴胜 ,  任国庆

IPC: G05B19/408 ,  G06N20/00 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明实施例提供了一种离子束刻蚀加工的工艺参数确定方法、装置及电子设备，方法包括：从预先设置的工艺参数数据集中获取工艺参数组；将每个所述工艺参数组输入离子束刻蚀速率预测模型，根据所述工艺参数组包括的工艺参数，确定每个所述工艺参数组对应的离子束刻蚀速率；将所述离子束刻蚀速率中大于所述预设离子束刻蚀速率的离子束刻蚀速率去除；确定所述离子束刻蚀速率中最大的离子束刻蚀速率对应的工艺参数组包括的工艺参数，作为目标工艺参数。应用本发明实施例，可以方便确定最高的离子束刻蚀速率对应的工艺参数，提高工作效率。