公开(公告)号：CN110825032B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201911127647.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  吴胜 ,  任国庆

IPC: G05B19/408 ,  G06N20/00 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明实施例提供了一种离子束刻蚀加工的工艺参数确定方法、装置及电子设备，方法包括：从预先设置的工艺参数数据集中获取工艺参数组；将每个所述工艺参数组输入离子束刻蚀速率预测模型，根据所述工艺参数组包括的工艺参数，确定每个所述工艺参数组对应的离子束刻蚀速率；将所述离子束刻蚀速率中大于所述预设离子束刻蚀速率的离子束刻蚀速率去除；确定所述离子束刻蚀速率中最大的离子束刻蚀速率对应的工艺参数组包括的工艺参数，作为目标工艺参数。应用本发明实施例，可以方便确定最高的离子束刻蚀速率对应的工艺参数，提高工作效率。

公开(公告)号：CN110825032A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911127647.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 景晓军 ,  黄海 ,  杨威 ,  刁克明 ,  吴胜 ,  任国庆

IPC: G05B19/408 ,  G06N20/00 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明实施例提供了一种离子束刻蚀加工的工艺参数确定方法、装置及电子设备，方法包括：从预先设置的工艺参数数据集中获取工艺参数组；将每个所述工艺参数组输入离子束刻蚀速率预测模型，根据所述工艺参数组包括的工艺参数，确定每个所述工艺参数组对应的离子束刻蚀速率；将所述离子束刻蚀速率中大于所述预设离子束刻蚀速率的离子束刻蚀速率去除；确定所述离子束刻蚀速率中最大的离子束刻蚀速率对应的工艺参数组包括的工艺参数，作为目标工艺参数。应用本发明实施例，可以方便确定最高的离子束刻蚀速率对应的工艺参数，提高工作效率。