一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109457219B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN201811385704.X

    申请日:2018-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法,特别是涉及一种辐射率低,太阳光谱吸收率α与红外辐射率ε(T)之比高的,基于金属及金属氮化物吸收的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层依次包括:基底层、红外反射层、吸收层、过渡层和减反层,吸收层包括第一吸收亚层和第二吸收亚层。本发明的一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法至少具有下列特点:保证了涂层具有低红外辐射率,提高了涂层整体的吸收率,涂层选材在太阳光谱能量范围内均有吸收作用,有效降低了太阳光在吸收层表面的反射;有效降低了光线在涂层内部界面处的反射;有效提高了涂层整体的制备效率,提高了生产产能。

    吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN105276846A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201410648672.3

    申请日:2014-11-14

    Inventor: 刘静 孙志强 汪洪

    CPC classification number: Y02E10/40

    Abstract: 本发明涉及太阳光选择性吸收涂层领域,尤其是一种吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。所述吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,包括以下步骤:基底层清洗;采用镀膜方法在基底层上制备红外反射层;采用镀膜方法在红外反射层上制备吸收层;采用镀膜方法在吸收层上制备减反层;所述的吸收层自下而上依次包括金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层,所述金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层均采用镀膜方法依次制备。所述吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层是由上述制备方法制备的。本发明公开的涂层制备工艺简单、镀膜设备所需条件要求低,适用于大规模低成本生产。

    一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN109457219A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811385704.X

    申请日:2018-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法,特别是涉及一种辐射率低,太阳光谱吸收率α与红外辐射率ε(T)之比高的,基于金属及金属氮化物吸收的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层依次包括:基底层、红外反射层、吸收层、过渡层和减反层,吸收层包括第一吸收亚层和第二吸收亚层。本发明的一种中低温太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法至少具有下列特点:保证了涂层具有低红外辐射率,提高了涂层整体的吸收率,涂层选材在太阳光谱能量范围内均有吸收作用,有效降低了太阳光在吸收层表面的反射;有效降低了光线在涂层内部界面处的反射;有效提高了涂层整体的制备效率,提高了生产产能。

    吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN105276846B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201410648672.3

    申请日:2014-11-14

    Inventor: 刘静 孙志强 汪洪

    CPC classification number: Y02E10/40

    Abstract: 本发明涉及太阳光选择性吸收涂层领域,尤其是一种吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。所述吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层的制备方法,包括以下步骤:基底层清洗;采用镀膜方法在基底层上制备红外反射层;采用镀膜方法在红外反射层上制备吸收层;采用镀膜方法在吸收层上制备减反层;所述的吸收层自下而上依次包括金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层,所述金属亚层、半导体锗亚层和以及金属氮氧化物亚层均采用镀膜方法依次制备。所述吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层是由上述制备方法制备的。本发明公开的涂层制备工艺简单、镀膜设备所需条件要求低,适用于大规模低成本生产。

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