公开(公告)号：CN108165792A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711350200.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院

Inventor： 何新波 ,  郑伟 ,  吴茂 ,  林涛

IPC: C22C1/05 ,  C22C26/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/11 ,  B22F1/00 ,  B22F7/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/26 ,  B22F1/02

Abstract: 本发明涉及镀钛金刚石/SiC复合材料的真空熔渗制备工艺，通过金刚石镀钛的方式增强复合材料中硅与金刚石之间的界面结合性；首先，将金刚石与钛粉按比例混合，随后在真空或惰性气体氛围下进行烧结镀覆，使金刚石表面形成碳化硅层，由此制备镀钛金刚石颗粒；接着将镀钛金刚石，硅粉，石墨以及有机粘结剂混合均匀，并压制成规则形状的复合材料的多孔预制坯体，然后将预制坯体进行脱脂处理，经过脱脂的多孔坯体在真空熔渗炉中进行液硅熔渗，使其完全致密。在熔渗过程中TiC与Si发生反应，生成SiC和Ti2SIC3，相比于Si与金刚石之间的直接反应生成碳化硅的界面相，TiC作为中间相加快了SiC的形成，降低了SiC的生成难度，提高了SiC含量，而金刚石和硅之间由于化学反应形成的界面结合提高了材料的整体强度。