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公开(公告)号:CN111320476A
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN202010285011.4
申请日:2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/632 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及一种金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备,制备方法包括以下步骤:将金刚石、分散剂、聚碳硅烷、塑化剂和溶剂混合,制备流延浆料;对所述流延浆料进行流延成型处理,制备生坯;对所述生坯进行热压烧结处理;该方法制备得到的金刚石-碳化硅复合材料具有致密度高,热导率高的优点,且具有工艺简单,生产周期短,自动化程度高,适合大规模工业生产的优势。
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公开(公告)号:CN111470866A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010283572.0
申请日:2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/52 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备,制备方法包括以下步骤:将金刚石、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合,制备流延浆料;对所述流延浆料进行流延成型处理,制备金刚石预成体;对所述金刚石预成体进行化学气相渗透碳化硅处理,得到金刚石-碳化硅基板;对所述金刚石-碳化硅基板进行热压烧结处理。该金刚石-碳化硅复合材料仅含有金刚石和碳化硅两种物相,具有致密度高及热导率高的优点,是现有的氮化铝基板较好的替代产品;且该方法具有工艺简单,生产周期短,自动化程度高,适合大规模工业生产的优势。
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公开(公告)号:CN111484330A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN202010284460.7
申请日:2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/532 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01L23/15 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种金刚石增强碳化硅基板及其制备方法和电子产品。上述金刚石增强碳化硅基板的制备方法包括如下步骤:将金刚石、石墨、分散剂、粘结剂、塑化剂与溶剂进行湿法球磨,得到流延浆料;将流延浆料进行流延成型,得到流延坯,流延坯的厚度为0.3mm~0.55mm;将流延坯与硅粉进行气相熔渗,得到金刚石增强碳化硅基板。上述金刚石增强碳化硅基板的制备方法能够使制备得到的金刚石增强碳化硅基板的尺寸可控、致密度高,且导热性好。
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