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公开(公告)号：CN114951607B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210649979.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法，属于电子封装功能材料领域，本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性，随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料，其中Cu在熔点以上进行熔渗，熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞，同时石墨泡沫作为增强体，具有复杂的三维结构，结构稳定，强度高，各项力学性能均较为优异，进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀，且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低，是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN112694335B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011603006.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01L23/24 , H01L23/18
Abstract: 本发明涉及一种三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨，制备流延浆料；将流延浆料进行流延成型，干燥，制备流延坯；在流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石，制备三维连续结构金刚石‑碳化硅基板。通过以聚碳硅烷为陶瓷前驱体，流延成型法制备薄板状多孔碳化硅，化学气相渗透法在多孔碳化硅上沉积致密的金刚石，达到了致密化的目的。本发明中的三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，不仅克服了硅蒸汽渗透法导致的基体中大量硅残余与金刚石易石墨化的问题，还有利于提高复合材料热导率。
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公开(公告)号：CN111484330A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010284460.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/532 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01L23/15 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种金刚石增强碳化硅基板及其制备方法和电子产品。上述金刚石增强碳化硅基板的制备方法包括如下步骤：将金刚石、石墨、分散剂、粘结剂、塑化剂与溶剂进行湿法球磨，得到流延浆料；将流延浆料进行流延成型，得到流延坯，流延坯的厚度为0.3mm～0.55mm；将流延坯与硅粉进行气相熔渗，得到金刚石增强碳化硅基板。上述金刚石增强碳化硅基板的制备方法能够使制备得到的金刚石增强碳化硅基板的尺寸可控、致密度高，且导热性好。
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公开(公告)号：CN114951607A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210649979.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法，属于电子封装功能材料领域，本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性，随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料，其中Cu在熔点以上进行熔渗，熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞，同时石墨泡沫作为增强体，具有复杂的三维结构，结构稳定，强度高，各项力学性能均较为优异，进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀，且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低，是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN114921682B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210740552.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种高导热各向同性的石墨球‑铜基复合材料及其制备方法，所述高导热各向同性的石墨球‑铜基复合材料由纯铜粉末、石墨球颗粒组成，其中纯铜粉末所占体积分数为10～50％，粒径为50μm，石墨球颗粒所占体积分数为50～90％，石墨球颗粒粒径为33μm，且所述石墨球颗粒采用盐浴镀进行表面改性，并与纯铜粉末在机械混合后经过放电等离子活化烧结进行成品制备，所生产的复合材料具有近似各向同性高热导率、低热膨胀系数的优异性能，该复合材料的制备方法简单可靠，热导率各向同性度较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112694335A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011603006.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01L23/24 , H01L23/18
Abstract: 本发明涉及一种三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨，制备流延浆料；将流延浆料进行流延成型，干燥，制备流延坯；在流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石，制备三维连续结构金刚石‑碳化硅基板。通过以聚碳硅烷为陶瓷前驱体，流延成型法制备薄板状多孔碳化硅，化学气相渗透法在多孔碳化硅上沉积致密的金刚石，达到了致密化的目的。本发明中的三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，不仅克服了硅蒸汽渗透法导致的基体中大量硅残余与金刚石易石墨化的问题，还有利于提高复合材料热导率。
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公开(公告)号：CN111470866A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010283572.0
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/52 , C04B35/565
Abstract: 本发明涉及一种金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备，制备方法包括以下步骤：将金刚石、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合，制备流延浆料；对所述流延浆料进行流延成型处理，制备金刚石预成体；对所述金刚石预成体进行化学气相渗透碳化硅处理，得到金刚石-碳化硅基板；对所述金刚石-碳化硅基板进行热压烧结处理。该金刚石-碳化硅复合材料仅含有金刚石和碳化硅两种物相，具有致密度高及热导率高的优点，是现有的氮化铝基板较好的替代产品；且该方法具有工艺简单，生产周期短，自动化程度高，适合大规模工业生产的优势。
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公开(公告)号：CN115259681A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210743155.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C03C17/00
Abstract: 本发明提供一种温度计用玻璃毛细管的制备方法，所述温度计用玻璃毛细管包括玻璃毛细管以及涂覆于所述玻璃毛细管内壁的疏水性涂层；所述制备方法包括以下步骤：清洁玻璃毛细管；纳米SiO2改性：将SiO2纳米颗粒和脱水甲苯混合，加入十二烷基三氯硅烷，回流反应；冷却后过滤，得到SiO2颗粒；干燥，研磨，得到改性疏水纳米SiO2颗粒；疏水性涂层溶液的制备：将改性疏水纳米SiO2颗粒加入甲苯溶液中溶解，再加入氟硅树脂，得到疏水性涂层溶液；使玻璃毛细管内充满所述疏水性涂层溶液；烘干，得到内壁涂覆有疏水性涂层的玻璃毛细管。本发明的制备方法工艺简单，玻璃毛细管管内壁具有极低的表面能，与Ga‑In‑Sn液态合金存在较大的表面能差，使Ga‑In‑Sn液态合金可顺畅流动。
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公开(公告)号：CN114921682A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210740552.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种高导热各向同性的石墨球‑铜基复合材料及其制备方法，所述高导热各向同性的石墨球‑铜基复合材料由纯铜粉末、石墨球颗粒组成，其中纯铜粉末所占体积分数为10～50％，粒径为50μm，石墨球颗粒所占体积分数为50～90％，石墨球颗粒粒径为33μm，且所述石墨球颗粒采用盐浴镀进行表面改性，并与纯铜粉末在机械混合后经过放电等离子活化烧结进行成品制备，所生产的复合材料具有近似各向同性高热导率、低热膨胀系数的优异性能，该复合材料的制备方法简单可靠，热导率各向同性度较好。
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公开(公告)号：CN111320476A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010285011.4
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/52 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/632 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及一种金刚石-碳化硅复合材料及其制备方法、电子设备，制备方法包括以下步骤：将金刚石、分散剂、聚碳硅烷、塑化剂和溶剂混合，制备流延浆料；对所述流延浆料进行流延成型处理，制备生坯；对所述生坯进行热压烧结处理；该方法制备得到的金刚石-碳化硅复合材料具有致密度高，热导率高的优点，且具有工艺简单，生产周期短，自动化程度高，适合大规模工业生产的优势。
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