公开(公告)号：CN101524755B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910081921.4

申请日：2009-04-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 周张健 ,  马垚 ,  都娟

IPC: B22F3/12

Abstract: 一种超细晶粒纯钼块体材料的制备方法，属于高熔点金属和金属基热沉材料技术领域。其特征是先选择粒度小于10μm大于1μm的钼粉进行生坯的真空热压预烧，再将预烧的生坯置于一叶腊石模具中，放入压机对样品施加1-10GPa的压力，然后对样品两端施加的10-25kW交流电进行烧结，通电电流为1000A-3000A，通电时间为15秒-3分钟，通电烧结后，继续保压30秒-3分钟；烧结体经研磨抛光，相对密度为96-99.9％，晶粒尺寸要小于或等于所用原料的初始粉末粒度。预烧条件是压力为20-50MPa，真空度为10-2-10-3Pa，温度800-1000℃，时间30min-60min条件下进行。本发明制备得到的超细晶粒钼基块体材料有较好的力学性能和抗热冲击性，适于电子封装材料，热沉积材料，电触头材料以及耐高温等离子体冲刷部件，如核聚变装置中的偏滤器材料等。

公开(公告)号：CN101524755A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910081921.4

申请日：2009-04-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 周张健 ,  马垚 ,  都娟

IPC: B22F3/12

Abstract: 一种超细晶粒纯钼块体材料的制备方法，属于高熔点金属和金属基热沉材料技术领域。其特征是先选择粒度小于10μm大于1μm的钼粉进行生坯的真空热压预烧，再将预烧的生坯置于一叶腊石模具中，放入压机对样品施加1－10GPa的压力，然后对样品两端施加的10－25kW交流电进行烧结，通电电流为1000A－3000A，通电时间为15秒－3分钟，通电烧结后，继续保压30秒－3分钟；烧结体经研磨抛光，相对密度为96－99.9％，晶粒尺寸要小于或等于所用原料的初始粉末粒度。预烧条件是压力为20－50MPa，真空度为10－2－10－3Pa，温度800－1000℃，时间30min－60min条件下进行。本发明制备得到的超细晶粒钼基块体材料有较好的力学性能和抗热冲击性，适于电子封装材料，热沉积材料，电触头材料以及耐高温等离子体冲刷部件，如核聚变装置中的偏滤器材料等。