公开(公告)号：CN103130503A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210526658.7

申请日：2012-12-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈骏 ,  张林兴 ,  赵翰庆 ,  邓金侠 ,  于然波 ,  邢献然

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明提供一种具有高居里温度大剩余极化及疲劳特性好的Bi(Zn1/2Zr1/2)O3-PbTiO3基铁电薄膜及其制备方法。所述铁电薄膜按照(1-x)Bi(Zn1/2Zr1/2)O3-xPbTiO3称取符合化学剂量比的各种原料进行配比制得。所述制备方法，包括按照按照上述化学结构通式称取符合化学剂量比的各种原料进行配制；先称取化学计量比的Ti(OC4H9)4，溶解于乙二醇甲醚中搅拌使其充分溶解，形成均匀、澄清的溶液。之后加入络合剂和稳定剂；将Bi(NO)3·5H2O、Zn(COOCH3)2·2H2O和Zr(NO)4·5H2O依次加入到上述配得的溶液中，定容后将所得液体静置，充分水解；得到溶胶旋涂在基底上，热解并重复n次以上旋涂和热解步骤得到所需的厚度薄膜；将得到的样品退火处理；即可得到成品。本发明制备的新型Bi(Zn1/2Zr1/2)O3-PbTiO3基铁电薄膜，在集成铁电器件，非挥发性铁电动态存储器等领域具有广泛的应用前景。