公开(公告)号：CN1794435A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510086820.8

申请日：2005-11-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 贾成厂 ,  尹法章 ,  褚克 ,  平延磊 ,  曲选辉

IPC: H01L21/48 ,  B22F1/00 ,  B22F3/20

Abstract: 本发明提供了一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂以体积比为：(55～75)∶(45～25)混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理。本发明所述的SiC颗粒选用7～28μm，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝(5～7)∶(5～3)∶(1～2)。本发明的优点在于：能够制备SiC含量55～75％的SiCp/Al电子封装材料，导热率为160～185W/m－K、密度为2.9～3.1g/cm3、热膨胀系数为7.0～9.0×106/K，实现了近终成形、尺寸精度高、成本低。

公开(公告)号：CN1830602A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610011693.X

申请日：2006-04-14

Applicant: 北京有色金属研究总院 ,  北京科技大学

Inventor： 尹法章 ,  贾成厂 ,  郭宏 ,  徐骏 ,  石力开 ,  褚克 ,  曲选辉 ,  张习敏

IPC: B22F3/105

Abstract: 本发明提供了一种制备高导热SiCp/Al电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先将SiC粉与Al粉或Al合金粉按体积比为：30～85∶70～15均匀混合，然后，将混合均匀的SiC/Al粉末装入石墨模具中，采用放电等离子烧结。烧结工艺为：抽真空后，以20～200℃/min的升温速度加热到烧结温度500～800℃，并在升温过程中施加20～50MPa的压力，达到烧结温度后保温2～10分钟，脱出膜腔，制得了高强高导热性能的SiCp/Al电子封装材料。本发明的优点在于：提高电子封装材料的可设计性，导热性，实现了工艺简单、流程短、效率高、成本低。

公开(公告)号：CN100364071C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510086820.8

申请日：2005-11-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 贾成厂 ,  尹法章 ,  褚克 ,  平延磊 ,  曲选辉

IPC: H01L21/48 ,  B22F1/00 ,  B22F3/20

Abstract: 本发明提供了一种用粉末注射成形/压力熔浸法制备电子封装材料的方法，属于电子封装材料制备技术领域。首先配料、混合，将SiC颗粒与粘结剂以体积比为：(55～75)∶(45～25)混合，然后采用挤压连续式混炼法混料，混料冷却后用球磨机研磨，再进行注射成形，对注射成形后得到的坯件进行脱脂处理。本发明所述的SiC颗粒选用7～28μm，粘结剂成分质量比为：石蜡∶聚乙烯∶硬脂酸＝(5～7)∶(5～3)∶(1～2)。本发明的优点在于：能够制备SiC含量55～75%的SiCp/Al电子封装材料，导热率为160～185W/m-K、密度为2.9～3.1g/cm3、热膨胀系数为7.0～9.0×106/K，实现了近终成形、尺寸精度高、成本低。

公开(公告)号：CN1944698A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610114004.8

申请日：2006-10-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 贾成厂 ,  褚克 ,  郭宏 ,  尹法章 ,  许彬彬 ,  梁雪冰 ,  曲选辉

IPC: C22C1/10 ,  C22C29/00 ,  B22F3/16

Abstract: 一种超高导热、低热膨胀系数的复合材料及其制备方法，属于高性能功能材料领域。超高导热、低热膨胀系数的复合材料是由高导热非金属材料与高导热金属材料的至少两相所构成。高导热非金属材料包含金刚石、裂解石墨、碳纳米管、SiC、AlN等中的一种或多种；高导热金属材料是铜、银或铝。制备方法是将高导热非金属材料的粉末颗粒或纤维与高导热金属材料的粉末颗粒混合进行成形与热固结；热固结是在是真空或氩气、氢气、氮气、分解氨保护气氛下进行。优点在于，复合材料具有导热率高、热膨胀系数与电子器件匹配；其良好的散热性、适中的热膨胀系数可以保障部件高发热密度条件下长期稳定地工作。产业化的应用前景广阔。