一种基于轨迹时序分析的地下空间电磁定位方法及装置

    公开(公告)号:CN119334349A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411352919.7

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明提供一种基于轨迹时序分析的地下空间电磁定位方法及装置,涉及定位技术领域。该方法包括:获取待定位目标的电磁场相位差以及磁场信号强度,根据电磁场相位差以及磁场信号强度构建时序输入数据;将时序输入数据输入到构建好的时序电磁定位模型;其中,时序电磁定位模型包括筛选门、感知门和重定位门;根据时序输入数据以及时序电磁定位模型,实时输出目标位姿信息。本发明通过时序电磁定位网络模型自主感知和捕获目标定位信息,实现高精度的移动目标实时连续定位。

    一种基于图神经网络的地下目标动态电磁探测方法及系统

    公开(公告)号:CN120085376A

    公开(公告)日:2025-06-03

    申请号:CN202510087091.5

    申请日:2025-01-20

    Abstract: 本发明提供一种基于图神经网络的地下目标动态电磁探测方法及系统,涉及探测技术领域,方法包括:获取探测器在多个探测点位上的位姿信息以及二次场反馈信号;以各个探测点位的位姿信息以及二次场反馈信号作为输入特征,构建图神经网络;获取地下目标探测数据集;利用地下目标探测数据集,对图神经网络进行训练;根据训练完成的图神经网络,对地下目标进行动态电磁探测。在本发明中,利用动态位姿和反馈信号的信息序列,帮助图神经网络学习到探测器运动过程中的连续性和时序特征,从而捕捉动态变化,满足实时探测的需求;同时,图神经网络能够有效处理由于探测器移动或倾斜导致的反馈信号偏差,从而提高对地下目标的定位精度。

    一种高压架空导线金具无源无线测温装置

    公开(公告)号:CN119469440A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411542839.8

    申请日:2024-10-31

    Abstract: 本发明提供一种高压架空导线金具无源无线测温装置,涉及温度测量技术领域,包括:高压架空导线、CT感应取电电源、储能电容器、测温模块、微控制器以及通讯模块。CT感应取电电源与高压架空导线连接,CT感应取电电源从高压架空导线中取电并输入至储能电容器中;测温模块、微控制器以及通讯模块均与储能电容器连接,储能电容器为装置提供稳定的电源供应;测温模块分别测量待测位置处导线金具温度以及环境温度;微控制器将待测位置处导线金具温度与环境温度的差值作为导线金具的温升数据;通讯模块将待测位置处导线金具温度、环境温度以及温升数据上报至后台服务器。本发明可以提升导线金具温度测量的精度,准确判断导线金具是否发热异常。

    一种基于运动姿态和干扰识别的磁通信增强方法及装置

    公开(公告)号:CN119995635A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510119207.9

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本发明提供一种基于运动姿态和干扰识别的磁通信增强方法及装置,涉及定位技术领域。该方法包括:构建磁通信时序数据集输入到双向数转模块,得到逆信号查询网络和时序增强网络输入;根据输入和基于RepViT设计的逆信号查询网络得到逆信号查询网络输出特征;根据输入、逆信号查询网络输出特征和时序增强网络得到天线增益特征。本发明通过带有发射阵列、接收阵列和IMU的通信终端在不同姿态和路径下的通信信号,训练磁通信增强网络,获取当前位姿下通信终端接收阵列和发射阵列的最佳增益,进而显著降低目标运动姿态以及周围干扰信号的影响,并基于学习结果自适应调整不同收发天线的增益,提高通信质量。

    一种无磁芯拱形MEMS电感器及制备方法

    公开(公告)号:CN119446714A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411357329.3

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种无磁芯拱形MEMS电感器及制备方法,属于半导体技术领域。所述无磁芯拱形MEMS电感器包括:玻璃衬底、电感器线圈、引信焊盘、非光敏聚酰亚胺涂层;电感器线圈包括电感器底部线圈和电感器顶部拱形线圈,引信焊盘包括第一引信焊盘及其第一连接线、第二引信焊盘及其第二连接线,在玻璃衬底上电镀电感器底部线圈和第一引信焊盘、第一引信焊盘,电感器线圈的两端分别和第一引信焊盘、第二引信焊盘相连,非光敏聚酰亚胺涂层附着在玻璃衬底表面,作为电感器顶部拱形线圈的支撑层,电感器顶部拱形线圈和非光敏聚酰亚胺涂层随形,引信焊盘的顶面和电感器顶部拱形线圈的顶面不被非光敏聚酰亚胺涂层覆盖。利用本发明制备时间缩短了15%~20%。

    GMI磁传感器及GMI磁传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN118191689A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410360422.3

    申请日:2024-03-27

    Abstract: 本申请涉及一种GM I磁传感器及GM I磁传感器的制备方法。其中,该GM I磁传感器包括:第一衬底、非晶丝、焊盘以及信号拾取线圈,其中,第一衬底的材质为玻璃或者硅,设置为固定非晶丝;非晶丝,设置为采用以下工艺实现与第一衬底连接:磁控溅射、光刻、电镀;焊盘,设置为包裹在非晶丝的两端;信号拾取线圈,设置为缠绕在固定有非晶丝的第一衬底上。本申请解决了采用传统工艺制造的非晶丝GM I传感器的接触电阻分布范围宽,导致传感器性能一致性较差的技术问题。

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