公开(公告)号：CN102142482A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110004415.2

申请日：2011-01-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  林伟花 ,  闫小琴 ,  张晓梅 ,  秦子 ,  张铮

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  B81C1/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法，具体工艺为：先在清洗干净的FTO导电玻璃上生长ZnO纳米阵列；接着，在生长优良的ZnO纳米阵列上旋涂PMMA光刻胶，使光刻胶渗透入阵列的间隙；然后进行前烘，使胶与阵列紧密粘连；前烘后进行氧等离子体刻蚀，刻蚀掉阵列端部的PMMA光刻胶，便于下一步的电极沉积；用真空镀膜机进行金属电极的沉积，厚度为50~100nm;退火处理一下使电极与ZnO纳米阵列更好地接触；最后，从Pt电极和FTO电极上引出铜导线就可以进行光电性能测试。本发明的优点在于：制备出的器件紫外光可以从背面照射，结构简单，成本低廉，性能稳定，为以后的实际应用提供了可能。

公开(公告)号：CN102142482B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110004415.2

申请日：2011-01-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  林伟花 ,  闫小琴 ,  张晓梅 ,  秦子 ,  张铮

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  B81C1/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种肖特基接触型ZnO纳米阵列紫外光探测器件的制备方法，具体工艺为：先在清洗干净的FTO导电玻璃上生长ZnO纳米阵列；接着，在生长优良的ZnO纳米阵列上旋涂PMMA光刻胶，使光刻胶渗透入阵列的间隙；然后进行前烘，使胶与阵列紧密粘连；前烘后进行氧等离子体刻蚀，刻蚀掉阵列端部的PMMA光刻胶，便于下一步的电极沉积；用真空镀膜机进行金属电极的沉积，厚度为50~100nm;退火处理一下使电极与ZnO纳米阵列更好地接触；最后，从Pt电极和FTO电极上引出铜导线就可以进行光电性能测试。本发明的优点在于：制备出的器件紫外光可以从背面照射，结构简单，成本低廉，性能稳定，为以后的实际应用提供了可能。