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公开(公告)号:CN102181927A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201110079276.X
申请日:2011-03-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于纳米材料阵列的制备技术领域,提供了一种低温条件下制备氧化锌纳米阵列的方法,即通过低温化学反应在基底表面制备氧化锌晶种层,随后通过低温水热反应合成氧化锌纳米阵列。包括以下步骤:采用醋酸锌的乙醇溶液和氢氧化钠的乙醇溶液作为制备氧化锌晶种层的原料。将清洗干净的基底在上述两种溶液中交替浸润、烘干数次,随后均匀滴加微量去离子水并烘干,通过此方法在基底上制备氧化锌晶种层。将制备好晶种层的基底放入硝酸锌和六次甲基四胺的混合水溶液,保温一段时间;取出基底,清洗后干燥,得到纳米氧化锌阵列。通过本发明,实现了低温(小于100℃)条件下,大面积制备氧化锌纳米阵列,且工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号:CN102320556B
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201110207486.2
申请日:2011-07-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种网络状纳米ZnO材料应变传感器的构建方法。具体工艺为:低温下,采用预热2~4小时,然后水热反应6~8小时的方法得到所需纳米ZnO材料,然后并采用酒精分散和旋涂等工艺搭建了了网络状结构的柔性应变传感器,并以聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜封装。相比于已有报道的ZnO单根结构和ZnO垂直/横向阵列结构,本发明中的网络状结构克服了ZnO的脆性和电子器件工艺上的复杂性,可应用用于工业化生产。此器件具有很高柔性,对微小振动和小应变有很高的响应,可用于生产监测和环境监测等方面。
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公开(公告)号:CN102320556A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201110207486.2
申请日:2011-07-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种网络状纳米ZnO材料应变传感器的构建方法。具体工艺为:低温下,采用预热2~4小时,然后水热反应6~8小时的方法得到所需纳米ZnO材料,然后并采用酒精分散和旋涂等工艺搭建了了网络状结构的柔性应变传感器,并以聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜封装。相比于已有报道的ZnO单根结构和ZnO垂直/横向阵列结构,本发明中的网络状结构克服了ZnO的脆性和电子器件工艺上的复杂性,可应用用于工业化生产。此器件具有很高柔性,对微小振动和小应变有很高的响应,可用于生产监测和环境监测等方面。
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公开(公告)号:CN102285634A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110207574.2
申请日:2011-07-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO微/纳材料的柔性应变传感器的构建方法,涉及纳米技术和半导体器件制造技术领域。本发明提供的应变传感器包括:ZnO单晶微/纳米材料、银电极、封装层聚二甲基硅氧(PDMS)和柔性衬底(PDMS、聚酰亚胺PI薄膜)。其中,长度为2-8mm、直径为0.5-5μm的ZnO单晶微/纳米材料由气相法制得,并采用接触印刷法转移至柔性基底上。封装后的器件可在酸/碱等腐蚀性环境下使用,并对不同粗糙度的工作表面有较高契合度,对小应变有很高的信号响应,可用于桥梁检测、汽车减震检测和生物医疗器械等方面。
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