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公开(公告)号：CN1733652A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510012062.5
申请日：2005-06-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/632 , C04B35/628
Abstract: 本发明提供了一种应用于选区激光烧结快速成型的陶瓷粉末材料的制备方法，属于激光快速成型领域。制备工艺为：首先采用聚合法制备有机粘结剂，然后利用所制备的粘结剂对陶瓷粉体进行机械混合或喷雾包覆，得到可以在SLS成型设备上进行成型的陶瓷粉体。本发明的优点在于：制备了一种有机粘结剂，并运用这种有机粘结剂对陶瓷粉末进行包覆，最终制备能够应用于选区激光烧结的陶瓷包覆粉体。使其具有添加量少、性能良好、成型质量高、便于在后处理中脱除、有助于实现陶瓷的快速成型。
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公开(公告)号：CN1157493C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN00136769.2
申请日：2000-12-29
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02E30/39
Abstract: 本发明提供了一种耐高温等离子体冲刷的碳化硼/铜涂层功能梯度材料，采用梯度材料的设计思想以确定合适的成分分布指数，对于碳化硼/铜梯度涂层，最顶层为纯B4C，最底层为纯铜，中间则为碳化硼/铜过渡成分，采用C＝(x/d)p公式计算各成分的含量。利用大气等离子喷涂设备制备热应力缓和型碳化硼/铜涂层功能梯度材料。其优点在于：具有低的化学溅射产额和热解吸，有很好的抗热冲击性，适于耐高温等离子体冲刷部件，如核聚变装置中的第一壁材料。
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公开(公告)号：CN1364745A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01100449.5
申请日：2001-01-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B4C/C功能梯度材料的方法。特征在于:向低原子序数陶瓷－碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂,对于SiC/C FGM,采用活性碳粉和B粉作SiC的烧结助剂,SiC的烧结助剂B+C含量应在1－10wt%(重量百分比),碳材料添加剂B的含量应在1－10wt%。B4C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计,B4C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中,压力为15－50MPa、温度为1900℃－2200℃,保温1－3小时。优点在于:具有优良的耐高温等离子体冲刷,抗热冲击和耐化学溅射性能。
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公开(公告)号：CN1216010C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN02100196.0
申请日：2002-01-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/582 , C04B35/64 , C01B21/072
Abstract: 本明提供了一种自蔓延高温合成超细AlN陶瓷粉体和AlN基复相陶瓷粉末。对于AlN粉体的制备原始反应物的成分配比为：50-90wt%的Al粉和10-50wt%的AlN粉；素坯的密度为35-60%，氮气压力1-30MPa。对于AlN/ZrN/Al3Zr复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为0-40wt%的AlN粉末，0-30wt%的ZrN粉末，10-85wt%的Al粉和30-70wt%的Zr粉，素坯的密度为35-50%，SHS反应的氮气压力为1-30MPa。对于AlN/ZrN复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为70-80wt%的Zr粉和20-30wt%的AlN粉末，素坯的密度为35-50%，SHS反应的氮气压力为1-30MPa。对于AlN-SiC固溶体的反应物的原始配比为Si和C为0-85atm%，Al为15-100atm%，atm%为原子百分比，氮气的压力为1-30MPa。
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公开(公告)号：CN1433999A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02100196.0
申请日：2002-01-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/582 , C04B35/64 , C01B21/072
Abstract: 本发明提供了一种自蔓延高温合成超细AlN陶瓷粉体和AlN基复相陶瓷粉末。对于AlN粉体的制备原始反应物的成分配比为：50－90wt％的Al粉和10－50wt％的AlN粉；素坯的密度为35－60％，氮气压力1－30MPa。对于AlN/ZrN/Al3Zr复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为0－40wt％的AlN粉末，0－30wt％的ZrN粉末，10－85wt％的Al粉和30－70wt％的Zr粉，素坯的密度为35－50％，SHS反应的氮气压力为1－30MPa。对于AlN/ZrN复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为70－80wt％的Zr粉和20－30wt％的AlN粉末，素坯的密度为35－50％，SHS反应的氮气压力为1－30MPa。对于AlN－SiC固溶体的反应物的原始配比为Si和C为0－85atm％，Al为15－100atm％，atm％为原子百分比，氮气的压力为1－30MPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100357225C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510012062.5
申请日：2005-06-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/632 , C04B35/628
Abstract: 本发明提供了一种应用于选区激光烧结快速成型的陶瓷粉末材料的制备方法，属于激光快速成型领域。制备工艺为：首先采用聚合法制备有机粘结剂，然后利用所制备的粘结剂对陶瓷粉体进行机械混合或喷雾包覆，得到可以在SLS成型设备上进行成型的陶瓷粉体。本发明的优点在于：制备了一种有机粘结剂，并运用这种有机粘结剂对陶瓷粉末进行包覆，最终制备能够应用于选区激光烧结的陶瓷包覆粉体。使其具有添加量少、性能良好、成型质量高、便于在后处理中脱除、有助于实现陶瓷的快速成型。
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公开(公告)号：CN1618767A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410009871.6
申请日：2002-01-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/622
Abstract: 本明提供了一种自蔓延合成超细AlN基复相陶瓷粉末。对于AlN/ZrN/Al3Zr复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为0－40wt％的AlN粉末，0－30wt％的ZrN粉末，10－85wt％的Al粉和30－70wt％的Zr粉，素坯的密度为35－50％，SHS反应的氮气压力为1－30MPa。对于AlN/ZrN复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为70－80wt％的Zr粉和20－30wt％的AlN粉末，素坯的密度为35－50％，SHS反应的氮气压力为1－30MPa。对于AlN－SiC固溶体的反应物的原始配比为Si和C为0－85atm％，Al为15－100atm％，atm为原子百分比，氮气的压力为1－30MPa。其优点在于：在氮化铝的基础上，设计出多相复合材料，以取得性能的多重叠加优势。
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公开(公告)号：CN1161227C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00136770.6
申请日：2000-12-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种可用作聚变堆耐高温等离子体冲刷偏滤器部件的W/Cu功能梯度材料，它是采用超高压通电快速烧结和等离子体喷涂技术制备而成的具有成分梯度变化的复合材料。这种材料能承受瞬态功率为100MW/m2的激光热冲击，而且在线平均电子密度为1-1.4×1013cm-3的等离子体原位辐照下材料表面无明显损伤。它适于用作要求能承受瞬态功率为3-30MW/m2热冲击的聚变堆面向等离子体偏滤器部件材料。其优点在于制备工艺简单、高效、成本低，材料性能好。
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公开(公告)号：CN1336249A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00121189.7
申请日：2000-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有递变电阻及高熔点差梯度材料的制备工艺,可快速制造陶瓷/金属,金属/金属梯度功能材料。它是在超高压条件下利用样品中随位置变化而电阻递变的特点,以大电流通过样品形成梯度分布的温度场的强化烧结技术。它适用于制备具有递变电阻的梯度材料,尤其适用于兼具有高熔点差梯度材料的制备。其优点在于工艺简单、高效、节能、成本低,应用范围广。
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公开(公告)号：CN1132670C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN00121189.7
申请日：2000-07-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有递变电阻及高熔点差梯度材料的制备工艺，可快速制造陶瓷/金属，金属/金属梯度功能材料。它是在超高压条件下利用样品中随位置变化而电阻递变的特点，以大电流通过样品形成梯度分布的温度场的强化烧结技术。它适用于制备具有递变电阻的梯度材料，尤其适用于兼具有高熔点差梯度材料的制备。其优点在于工艺简单、高效、节能、成本低，应用范围广。
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