公开(公告)号：CN1364745A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01100449.5

申请日：2001-01-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 葛昌纯 ,  曹文斌 ,  沈卫平 ,  李江涛 ,  武安华

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B4C/C功能梯度材料的方法。特征在于:向低原子序数陶瓷－碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂,对于SiC/C FGM,采用活性碳粉和B粉作SiC的烧结助剂,SiC的烧结助剂B+C含量应在1－10wt%(重量百分比),碳材料添加剂B的含量应在1－10wt%。B4C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计,B4C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中,压力为15－50MPa、温度为1900℃－2200℃,保温1－3小时。优点在于:具有优良的耐高温等离子体冲刷,抗热冲击和耐化学溅射性能。

公开(公告)号：CN1164524C

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN01100449.5

申请日：2001-01-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 葛昌纯 ,  曹文斌 ,  沈卫平 ,  李江涛 ,  武安华

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种通过成分分布设计和热压烧结方法制备SiC/C和B4C/C功能梯度材料的方法。特征在于：向低原子序数陶瓷-碳块体梯度材料原料中加入烧结助剂，对于SiC/C FGM，采用活性炭粉和B粉作SiC的烧结助剂，SiC的烧结助剂B+C含量应在1-10wt%(重量百分比)，碳材料添加剂B的含量应在1-10wt%。B4C/C FGM中加入SiC以提高性能。SiC/C FGM采用线性成分分布设计，B4C/C FGM采用S型成分分布设计。在氩气气氛中，压力为15-50MPa、温度为1900℃-2200℃，保温1-3小时。优点在于：具有优良的耐高温等离子体冲刷，抗热冲击和耐化学溅射性能。