公开(公告)号：CN101412534A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810226852.7

申请日：2008-11-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  李会峰 ,  黄运华 ,  张琪 ,  秦子 ,  王建

IPC: C01G9/03

Abstract: 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别是提供了一种自催化法制备高产量T－ZnO纳米材料的方法，实现了低的制备温度下大范围的可控生长。其特征是通过如下三个步骤实现：1)将n型硅基片用丙酮和乙醇在超声清洗器内清洗干净，作为沉积基片；2)将纯度＞99.9％Zn粉和纯度＞90％ZAc粉按原子比10∶1混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；硅片距离反应物的距离保持在5－8mm之间；3)管式炉事先升温至650℃，把瓷舟放入管式炉中的石英管中部；先向管内通入15分钟氩气，流量为80cm3/min；再通氧气15分钟，流量为40cm3/min，取出硅基片；冷却至室温后所得产品即四针状氧化锌，材料表面光滑，结晶性较高。本发明通过反应物自身的自催化作用，有效的降低反应温度，并且避免产物中金属的污染，实现大面积可控的制备，并大范围的提高产率。