公开(公告)号：CN102856196A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210303678.8

申请日：2012-08-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  于桐 ,  黄运华 ,  张铮 ,  王文铎 ,  林沛 ,  张会会 ,  钦辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L41/253 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电势作为调节源漏电流的门电压。这个基于纳米线阵列的压电场效应晶体管是一个不需要提供外接门电压的FET，是一种制备由应变、应力或压强驱动和控制的电子器件和传感器的新方法。该器件的制作成本低、方法简单、效率高，与单根纳米线的器件相比，本发明构建的FET可在宏观条件下使用，不需纳米操控平台等精密设备，对操作的要求低，密度较大的纳米线使得器件稳定性更好，寿命更长，可应用于大规模生产。

公开(公告)号：CN102856196B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201210303678.8

申请日：2012-08-23

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  于桐 ,  黄运华 ,  张铮 ,  王文铎 ,  林沛 ,  张会会 ,  钦辉

IPC: H01L21/335 ,  H01L41/253 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电势作为调节源漏电流的门电压。这个基于纳米线阵列的压电场效应晶体管是一个不需要提供外接门电压的FET，是一种制备由应变、应力或压强驱动和控制的电子器件和传感器的新方法。该器件的制作成本低、方法简单、效率高，与单根纳米线的器件相比，本发明构建的FET可在宏观条件下使用，不需纳米操控平台等精密设备，对操作的要求低，密度较大的纳米线使得器件稳定性更好，寿命更长，可应用于大规模生产。