公开(公告)号：CN102127622B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110009420.2

申请日：2011-01-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 孔为 ,  苍大强 ,  宋佳慧

IPC: C21D1/26 ,  C21D8/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/04

Abstract: 本发明属于材料科学与工程研究领域，主要涉及了一种通过脉冲电场提高取向硅钢磁性能的方法。本发明一种通过脉冲电场热处理提高取向硅钢磁性能的方法，所述方法步骤如下：退火试验采用EPM-C型电脉冲发生器，导线直接连接在样品一侧的两端，导线由高纯刚玉保护管保护，在箱式电阻炉内退火，并采取气氛保护，取向硅钢片由室温升到所需退火温度，保温时间一定时间，期间加入脉冲电场处理，而后拿出空冷至室温。本发明优势在于：（1）设备、操作简单。（2）提高取向硅钢片磁性能的幅度大，且效果稳定。（3）对取向硅钢片表面涂层损坏面积很小。

公开(公告)号：CN102127622A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110009420.2

申请日：2011-01-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 孔为 ,  苍大强 ,  宋佳慧

IPC: C21D1/26 ,  C21D8/12 ,  C21D1/74 ,  C21D1/04

Abstract: 本发明属于材料科学与工程研究领域，主要涉及了一种通过脉冲电场提高取向硅钢磁性能的方法。本发明一种通过脉冲电场热处理提高取向硅钢磁性能的方法，所述方法步骤如下：退火试验采用EPM-C型电脉冲发生器，导线直接连接在样品一侧的两端，导线由高纯刚玉保护管保护，在箱式电阻炉内退火，并采取气氛保护，取向硅钢片由室温升到所需退火温度，保温时间一定时间，期间加入脉冲电场处理，而后拿出空冷至室温。本发明优势在于：（1）设备、操作简单。（2）提高取向硅钢片磁性能的幅度大，且效果稳定。（3）对取向硅钢片表面涂层损坏面积很小。