公开(公告)号：CN119119777A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411129987.7

申请日：2024-08-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张欣茹 ,  吴宇洋 ,  沈宇锋 ,  刘家豪 ,  林林 ,  姜泽毅 ,  张欣欣

IPC: C09C1/46 ,  C09C3/06 ,  C09C3/08 ,  C09C3/10 ,  C09C3/04 ,  C09K5/14 ,  C08L29/04 ,  C08L1/04 ,  C08K9/04 ,  C08K9/00 ,  C08K3/34 ,  C08K3/04

Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅‑石墨烯异质结构填料的方法及其在界面自适应导热复合材料中的应用，属于复合材料技术领域，包括以下步骤：（1）将碳化硅加入水中搅拌后超声，离心洗涤干燥后制得羟基化碳化硅粉末；（2）将石墨烯加入水中，匀质后加入TCEP和HEPES搅拌制得分散液A，将溶菌酶、HEPES和水混合制成溶液B，将溶液B加入分散液A，反应制得溶菌酶修饰石墨烯粉末；（3）将溶菌酶修饰石墨烯粉末与羟基化碳化硅混合反应，制得碳化硅‑石墨烯异质结构填料。本发明通过表面修饰和化合交联的方式制备得到高导热碳化硅‑石墨烯异质结构填料。该制备方法绿色、快速、安全，可应用于多个复合材料技术领域。

公开(公告)号：CN118385573A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410416822.1

申请日：2024-04-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张欣茹 ,  蒲长宇 ,  狄彦强 ,  姜泽毅 ,  刘家豪 ,  张欣欣

IPC: B22F1/18 ,  B22F9/20 ,  B22F1/054 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 发明涉及复合材料技术领域，提供了一种基于煅烧还原制备铜‑石墨烯异质结构材料、方法及应用，所述方法包括：S1、以Tris缓冲溶液作为分散介质加入石墨烯，碱性条件下加入盐酸多巴胺剧烈搅拌，经滤洗和冷冻干燥得聚多巴胺‑石墨烯；S2、以去离子水作为分散介质，加入所述聚多巴胺‑石墨烯，碱性条件下加入无水硫酸铜剧烈搅拌，经滤洗和烘干得到氧化铜‑聚多巴胺‑石墨烯；S3、将所述氧化铜‑聚多巴胺‑石墨烯煅烧得铜‑石墨烯异质结构材料。与现有技术相比，本发明通过煅烧还原使铜原位生长在石墨烯表面，制得异质结构材料，可作为填料用于热管理复合材料、医疗设备电极材料等领域。该方法操作简单、成本低廉、反应绿色环保。