一种高纯α-Si3N4纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN109485432B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201811399979.9

    申请日:2018-11-22

    Abstract: 一种高纯α‑Si3N4纳米粉体的制备方法,属于纳米材料领域。将含SiO2的原料磨细后加入盛有HNO3、CO(NH2)2、C6H12O6·H2O溶液的容器中,使Si:C摩尔比为2~4。将容器置于马弗炉中,加热到250~450℃,并保温15~45分钟,得到前驱体。将前驱体碾碎,置于刚玉坩埚中,放入气氛炉内,以600~2000ml/min的气体流量通入氮气,以3~5℃/min的升温速率升温至1450~1600℃保温0.5~3小时,再自然冷却。将烧结后的样品置于马弗炉中,在500~700℃空气气氛下保温1~4小时,得到高纯α‑Si3N4纳米粉体。所制备的α‑Si3N4纳米粉体纯度高、粒度均匀,未检测到β‑Si3N4相及其他杂相,其晶粒呈絮状、片状等,氧含量约为1.93at%,粒度为50nm~700nm,比表面积约为4.8m2/g。该方法成本低、产品纯度高、工艺简单,适合工业化生产。

    一种高纯α-Si3N4纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN109485432A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811399979.9

    申请日:2018-11-22

    Abstract: 一种高纯α-Si3N4纳米粉体的制备方法,属于纳米材料领域。将含SiO2的原料磨细后加入盛有HNO3、CO(NH2)2、C6H12O6·H2O溶液的容器中,使Si:C摩尔比为2~4。将容器置于马弗炉中,加热到250~450℃,并保温15~45分钟,得到前驱体。将前驱体碾碎,置于刚玉坩埚中,放入气氛炉内,以600~2000ml/min的气体流量通入氮气,以3~5℃/min的升温速率升温至1450~1600℃保温0.5~3小时,再自然冷却。将烧结后的样品置于马弗炉中,在500~700℃空气气氛下保温1~4小时,得到高纯α-Si3N4纳米粉体。所制备的α-Si3N4纳米粉体纯度高、粒度均匀,未检测到β-Si3N4相及其他杂相,其晶粒呈絮状、片状等,氧含量约为1.93at%,粒度为50nm~700nm,比表面积约为4.8m2/g。该方法成本低、产品纯度高、工艺简单,适合工业化生产。

    一种高纯CM2A8材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108147826A

    公开(公告)日:2018-06-12

    申请号:CN201711387949.1

    申请日:2017-12-20

    Abstract: 本发明提供一种高纯的CM2A8材料及其制备方法,合成原料主晶相为CaMg2Al16O27,纯度大于98%,体积密度为2.8~3.5g/cm3,化学成分:Al2O3 85.6-86.9%,MgO 7.2-8.5%,CaO 5.8-5.9%,通过将含Al2O3的原料、含CaO的原料和含MgO的原料按照,Al2O3 85.6~86.9%,MgO 7.2~8.5%,CaO 5.8~5.9%配比,利用球磨机共磨2~10小时,外加上述混合物1~6wt%的结合剂。混合后,将所述原料经10MPa~200MPa的高压成型,干燥后在空气下升温至1650~1750℃,保温120~720分钟烧结合成CM2A8材料。

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