公开(公告)号：CN101967058B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010237748.5

申请日：2010-07-23

Applicant: 黑龙江科技学院 ,  北京科技大学

Inventor： 张迎春 ,  付宝建 ,  杨秀敏

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料及其制造技术领域。陶瓷由MgNb2O6和ZnTa2O6复合而成。以MgO和Nb2O5为原料合成MgNb2O6，以ZnO和Ta2O5为原料合成ZnTa2O6，之后MgNb206与ZnTa206经过混合，加入PVA压制成型，在高温炉中烧结2～4小时制成微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷相对介电常数在29.7～31.4之间，Qf值在66280～67370之间，谐振频率温度系数可调；可广泛应用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造，满足移动通信、卫星通信等系统的技术需求。

公开(公告)号：CN102002743A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010575369.7

申请日：2010-12-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张迎春 ,  刘艳红 ,  刘其宗 ,  苏晓丽 ,  吴泽双 ,  付宝建 ,  葛昌纯

IPC: C25D3/66

Abstract: 一种纯铜或铜合金基体表面在熔融盐浴中电镀厚钨涂层的方法，属于表面工程技术领域。工作电极(基体金属)为CuZrCr或无氧铜(OF-Cu)或弥散强化铜合金，对电极(阳极)为纯金属钨片，电极经过表面和干燥处理。熔融盐为Na2WO4-WO3二元体系，按照一定摩尔比称量干燥后混匀加热到熔融状态，连接阴极和阳极，通过设定电流参数和调整电镀时间，获得所需厚度的金属钨涂层。电流采用单向脉冲电流，固定均值电流密度在100～150mA/cm2、脉冲频率10～1000Hz和占空比0.1～0.75，通过调整电镀时间获得所需厚度超过1mm的钨涂层。本发明的优点在于：金属钨涂层致密度高，结合强度高；适用于异型零件；工艺设备简单，操作方便，成本低廉，无污染。

公开(公告)号：CN102002743B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010575369.7

申请日：2010-12-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张迎春 ,  刘艳红 ,  刘其宗 ,  苏晓丽 ,  吴泽双 ,  付宝建 ,  葛昌纯

IPC: C25D3/66

Abstract: 一种纯铜或铜合金基体表面在熔融盐浴中电镀厚钨涂层的方法，属于表面工程技术领域。工作电极(基体金属)为CuZrCr或无氧铜(OF-Cu)或弥散强化铜合金，对电极(阳极)为纯金属钨片，电极经过表面和干燥处理。熔融盐为Na2WO4-WO3二元体系，按照一定摩尔比称量干燥后混匀加热到熔融状态，连接阴极和阳极，通过设定电流参数和调整电镀时间，获得所需厚度的金属钨涂层。电流采用单向脉冲电流，固定均值电流密度在100～150mA/cm2、脉冲频率10～1000Hz和占空比0.1～0.75，通过调整电镀时间获得所需厚度超过1mm的钨涂层。本发明的优点在于：金属钨涂层致密度高，结合强度高；适用于异型零件；工艺设备简单，操作方便，成本低廉，无污染。

公开(公告)号：CN101967058A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010237748.5

申请日：2010-07-23

Applicant: 黑龙江科技学院 ,  北京科技大学

Inventor： 张迎春 ,  付宝建 ,  杨秀敏

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法，属于微波介质陶瓷材料及其制造技术领域。陶瓷由MgNb2O6和ZnTa2O6复合而成。以MgO和Nb2O5为原料合成MgNb2O6，以ZnO和Ta2O5为原料合成ZnTa2O6，之后MgNb2O6与ZnTa2O6经过混合，加入PVA压制成型，在高温炉中烧结2～4小时制成微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷相对介电常数在29.7～31.4之间，Qf值在66280～67370之间，谐振频率温度系数可调；可广泛应用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造，满足移动通信、卫星通信等系统的技术需求。