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公开(公告)号：CN108161567A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711450483.5
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
IPC分类号： B23Q15/22
CPC分类号： B23Q15/22
摘要： 本发明公开了一种新型CNC机床Z轴对刀方法，所述方法具体为：换刀后首先将Z轴降到缓冲高度，然后将Z轴控制在最慢速度，按照最慢速度降低Z轴铣刀直到铣刀末端与模具表面接触即实现精准对刀。并且具体判断铣刀末端是否与模具表面接触使用的仪器是短路测试仪或者万用表，该对刀方式实现了针对微流控芯片模具加工的微小区域的精准对刀，摆脱了对于对刀器的依赖；该对刀方式操作简单，并且极大地提高了微流控金属模具的加工质量和精度。
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公开(公告)号：CN108080045A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711446331.8
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明涉及一种新的微流控芯片内部微流道的亲水性改性方法。所述方法采用低温低压等离子体通过真空度反复高低切换的方式进行处理，能够解决现有化学试剂处理微流控芯片内部通道而引入的试剂污染问题，排除第三种物质对于生物领域的应用研究带来的影响；对于整个芯片内部的微流道结构处理更加充分；对环境和操作人员更加友好；并且提高制备效率，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN108031500A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711446337.5
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明公开了一种新的微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法。所述方法采用纳米镀膜技术来实现微流控芯片内部微流道的疏水改性。在进行纳米镀膜前，首先实现芯片内部微流道的表面结构活化，以增加后续纳米镀膜的镀膜牢固性。并且，本发明方法采用低温低压等离子体通过真空度反复高低切换的方式进行处理，能够解决现有化学试剂处理微流控芯片内部通道而引入的试剂污染问题，排除第三种物质对于生物领域的应用研究带来的影响；对于整个芯片内部的微流道结构处理更加充分；对环境和操作人员更加友好；并且提高制备效率，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN108031500B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201711446337.5
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明公开了一种新的微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法。所述方法采用纳米镀膜技术来实现微流控芯片内部微流道的疏水改性。在进行纳米镀膜前，首先实现芯片内部微流道的表面结构活化，以增加后续纳米镀膜的镀膜牢固性。并且，本发明方法采用低温低压等离子体通过真空度反复高低切换的方式进行处理，能够解决现有化学试剂处理微流控芯片内部通道而引入的试剂污染问题，排除第三种物质对于生物领域的应用研究带来的影响；对于整个芯片内部的微流道结构处理更加充分；对环境和操作人员更加友好；并且提高制备效率，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN108189413A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711450477.X
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种新的微流控芯片热压键合方法。所述方法在封闭空间中通过柔性膨胀体对所述芯片的基片和/或盖片的外表面施压，以使所述基片和盖片的键合表面键合。从而解决现有微流控芯片键合方法在热压键合过程中由于上下硬质压板施力表面不平行或者芯片本身翘曲或者堆叠厚度不均匀导致的芯片键合区域受力不均匀的问题，使芯片良品率大大提高。
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公开(公告)号：CN108080045B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201711446331.8
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明涉及一种新的微流控芯片内部微流道的亲水性改性方法。所述方法采用低温低压等离子体通过真空度反复高低切换的方式进行处理，能够解决现有化学试剂处理微流控芯片内部通道而引入的试剂污染问题，排除第三种物质对于生物领域的应用研究带来的影响；对于整个芯片内部的微流道结构处理更加充分；对环境和操作人员更加友好；并且提高制备效率，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN108181789A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711448775.5
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种针对PDMS芯片转印的光刻胶模板加工方法，采用在光刻胶微结构与硅片之间增加一层厚度为5-10um的光刻胶整体过渡层的方式来增加光刻胶微结构与硅片之间粘接能力，该光刻胶模板整体是疏水的，易于脱模，并且光刻胶微结构是做在一整片光刻胶过渡层上，所以大大提高了微结构的稳定性。并且该PDMS转印模板使用寿命比常规模板高出几十次甚至几百次，不仅提升了PDMS芯片制备效率，降低了芯片制备成本，而且减少了资源消耗，为PDMS芯片量产提供了可能。
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公开(公告)号：CN108178123A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711450486.9
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
CPC分类号： B81C3/001 , B01L3/502707 , B01L2200/12
摘要： 本发明公开了一种新型PDMS微流控芯片键合方法，包括如下步骤：将玻璃和PDMS芯片分别经过等离子处理；在经过等离子处理后的玻璃一面旋涂一层加入固化剂的PDMS液体；然后将旋涂PDMS液体的玻璃在转速为1000rpm的匀胶机上匀胶30～60s，该PDMS液体附着在玻璃上形成PDMS薄膜；然后将附有PDMS薄膜的玻璃进行热处理后该PDMS液体固化；将玻璃经PDMS处理的一面与经过等离子处理的PDMS芯片贴合即可实现键合。该方法选材更加宽泛，并且对于玻璃表面的洁净程度要求不高，能够减少清洗过程中水和其他化学试剂如丙酮、乙醇等的消耗，进而节约清洗成本；这种芯片由于微沟道四周均是PDMS疏水介质层，能够在油包水制备微滴等对于微通道有疏水性要求的技术领域得以应用。
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公开(公告)号：CN108162413A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711448805.2
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
CPC分类号： B29C65/18 , B01L3/5027 , B29C65/1406 , B29C66/026
摘要： 本发明公开了一种利用溶剂键合制备聚合物微流控芯片的方法，取有机溶剂置于固定装置中，并将聚合物盖片单面粘贴在固定装置顶部，并将该固定装置置于加热器上，使用所述有机溶剂熏蒸聚合物盖片，将盖片快速粘接到带有芯片沟道的基片上得粘接的芯片，然后使用热压机压印粘接的芯片，并使用紫外线照射。该方法缩短了聚合物芯片的制备时间，提高了芯片键合强度，增加了聚合物芯片的稳定性，同时解决了传统溶剂键合涂覆不均的问题。
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公开(公告)号：CN108162368A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711446319.7
申请日：2017-12-27
申请人： 北京百奥芯科技有限公司
CPC分类号： B29C51/12 , B01L3/5027 , B29C51/264
摘要： 本发明涉及一种新的微流控塑料芯片的热键合方法，以解决采用化学试剂辅助键合芯片遇到的问题。本发明方法不引入试剂污染，排除第三种物质对于生物领域的应用研究带来的影响；由于不涉及到化学试剂，对于不同芯片材料均可适用；在键合过程中温度相比传统的高温热压键合工艺低很多，对于微流道的形变影响较小，易于操作且制备效率大大提高；对环境和操作人员更加友好；降低芯片制造成本。另外，本发明还涉及通过所述热键合方法获得的微流控芯片。
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