-
公开(公告)号：CN107644003A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710905589.3
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06F15/78
Abstract: 本发明涉及一种主控芯片的运算协处理模块，包括：模数转换电路、运算模块以及控制器；所述模数转换电路与传感器相连接，用于采集所述传感器的信号，将采集后的信号进行模数转换，并发送所述转换后的数据；所述运算模块分别与所述模数转换电路以及所述控制器相连接，所述运算模块用于在接收到的待运算的数据之后，对所述接收的待运算的数据进行预设的运算，并将运算后的数据发送给控制器；所述控制器用于将接收到的数据写入主控芯片的存储器中。本发明提供的主控芯片的运算协处理模块，可以极大提高运算效率并且节约成本。
-
公开(公告)号：CN108009454A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711076975.2
申请日：2017-11-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明公开了一种低功耗解码的方法及装置，其中，该方法包括：根据预设的上电频率确定第一计数值，第一计数值为在Tari阶段采集的计数值，上电频率不小于500kHz；根据第一计数值确定RTcal阶段的采样频率，并以采样频率执行解码操作；根据上电频率与采样频率之间的差别对第二计数值进行误差补偿，第二计数值为在RTcal阶段采集的计数值。该方法的上电频率远远小于传统值，可以大大降低功耗；之后以该上电频率确定Tari阶段的计数值后调整工作频率，在保证正常解码的同时使得计数值最小，从而在较低的工作频率完成解码功能。
-
公开(公告)号：CN108009454B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201711076975.2
申请日：2017-11-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明公开了一种低功耗解码的方法及装置，其中，该方法包括：根据预设的上电频率确定第一计数值，第一计数值为在Tari阶段采集的计数值，上电频率不小于500kHz；根据第一计数值确定RTcal阶段的采样频率，并以采样频率执行解码操作；根据上电频率与采样频率之间的差别对第二计数值进行误差补偿，第二计数值为在RTcal阶段采集的计数值。该方法的上电频率远远小于传统值，可以大大降低功耗；之后以该上电频率确定Tari阶段的计数值后调整工作频率，在保证正常解码的同时使得计数值最小，从而在较低的工作频率完成解码功能。
-
公开(公告)号：CN104768190B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510233006.8
申请日：2015-05-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于LTE230的中频信号处理装置和方法，其中，该方法装置：下行信号处理单元，下行信号处理单元包括下行一级信号处理单元和下行二级信号处理单元；下行一级信号处理单元包括：M个下行一级混频器、下行半带滤波器，M为大于等于1的正整数；下行二级信号处理单元包括：下行二级混频器、下行CIC滤波器、下行低通滤波器；M个下行一级混频器依次通过下行半带滤波器、下行二级混频器、下行CIC滤波器与下行低通滤波器相连。本发明的基于LTE230的中频信号处理装置和方法，可同时处理的子带数远超公网应用中的子带数；而且在最窄25KHz的子带带宽能提供优异的邻频抑制能力。
-
公开(公告)号：CN113866690B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114584516A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210094557.0
申请日：2022-01-26
Applicant: 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国家电网有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H04L47/10
Abstract: 本发明提供一种以太网MAC控制器及其接收数据的方法，属于智能电力系统领域。所述方法以太网MAC控制器执行，包括：对接收数据进行帧类型判断；若当前帧为控制帧，则根据接收数据执行控制动作；若当前接收数据为VLAN帧或普通帧，则对当前接收数据进行接收类型匹配过滤或长度匹配过滤；若接收类型匹配过滤或长度匹配过滤成功，则继续接收数据，否则停止接收数据并删除已接收数据。通过在以太网MAC控制器中增加类型过滤模块进行类型过滤，实现在以太网MAC控制器上直接完成对接收数据的类型过滤，如果接收类型匹配过滤失败，则停止接收数据，且数据不会通过数据总线传输到CPU控制器。
-
公开(公告)号：CN112614536A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011452068.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。
-
公开(公告)号：CN112100960B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011297868.4
申请日：2020-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司
IPC: G06F30/343
Abstract: 本发明提供一种动态检测FPGA芯片内压降的方法及FPGA芯片，属于芯片设计领域。所述方法包括：在FPGA芯片内部设置模数转换模块，通过所述模数转换模块将所述FPGA芯片的内部电路的输入电压转换为数字信号并输出；通过对FPGA芯片进行编程来配置FPGA芯片内的逻辑资源，以监控所述模数转换模块输出的数字信号的变化情况，根据所述模数转换模块输出的数字信号的变化情况确定所述FPGA芯片的内部电路的输入电压的压降。本发明通过在FPGA芯片中加入模数转换模块将内部电路的输入电压转换为数字信号，根据数字信号的变化情况确定内部电路的电源压降，实现对FPGA芯片内部电源设计薄弱的区域或动态功耗较大的模块的电源压降的检测，以防止FPGA芯片因局部电源压降过大发生异常。
-
公开(公告)号：CN110991131B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201911244633.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司信息通信公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 青岛智芯半导体科技有限公司
IPC: G06F30/34 , G06F119/04 , G01R31/3185 , G01K7/01
Abstract: 本发明提供的一种用于FPGA的结温动态调节装置和方法，包括：配置与监测板、数字源表和电源；数字源表与待测FPGA的温度传感器的DXP端连接；电源与待测FPGA的温度传感器的DXN端连接；电源还与配置与监测板连接，用于向配置与监测板反馈待测FPGA的温度传感器的DXP端与DXN端间压差；配置与监测板与待测FPGA连接，用于基于寿命试验测试数据对待测FPGA的结温进行调节，还用于根据压差修订寿命试验测试数据。本发明提供的结温动态调节装置，可以在FPGA动态寿命试验过程中精确结温监测，具有广泛的适用性；本发明通过采用数字源表的测试方法，可以简化印刷电路板设计，节约了采购温度读取处理芯片的费用，降低了测试费用。
-
公开(公告)号：CN115360295A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211292154.3
申请日：2022-10-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域，提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器，包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元，三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面，三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接，所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通；三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极，所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联，集成度高、可靠性强，同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成，体积小、功耗低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.043 seconds)
