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公开(公告)号：CN116111990A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326699.1
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。
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公开(公告)号：CN116111849A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326706.8
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，所述输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4；负载侧全桥电路，所述负载侧全桥电路包括第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7和第八开关管Q8；高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧全桥电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧全桥电路的输入端；其中，Q1和Q3采用交叉耦合的方式连接，Q5和Q7采用交叉耦合的方式连接。本公开的技术方案，大幅减少了提供控制信号的驱动电路的损耗，降低了实现成本。
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公开(公告)号：CN115603586B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN115603586A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211326687.9
申请日：2022-10-27
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3、第四开关管Q4、第五开关管Q5以及第六开关管Q6；负载侧全桥电路，负载侧全桥电路包括第七开关管Q7、第八开关管Q8、第九开关管Q9、第十开关管Q10；高频变压器，高频变压器的初级绕组连接于输入侧全桥电路的输出端，高频变压器的次级绕组连接于负载侧全桥电路的输入端。本公开的技术方案，可以确保不会在负载侧全桥与输入侧全桥之间形成振荡回路，从而避免产生自激振荡，减少对DAB变换电路的正常工作造成的影响。
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公开(公告)号：CN116111990B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211326699.1
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种用于全桥整流器中的比较器、全桥整流器及电子设备。所述用于全桥整流器中的比较器，包括：偏置电流电路和共栅极比较电路；所述偏置电流电路用于向所述共栅极比较电路提供电流偏置；所述共栅极比较电路包括NMOS管MN1，所述NMOS管MN1与所述NMOS管的类型相同且尺寸不同；其中，所述NMOS管MN1的源极作为所述共栅极比较电路的一个输入端接地电平pvss，所述共栅极比较电路的另一个输入端接所述全桥整流器的输入电压Vinp。上述技术方案通过调节偏置电流电路的偏置电流即可确定比较器的反转电压，由于可以设置不受温度漂移、工艺误差等影响的恒定电流，因此确定的翻转点所对应的功率管电流也不随温度漂移和工艺误差等因素影响，具有较好的精度。
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公开(公告)号：CN118890039A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411024701.9
申请日：2024-07-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/687 , G06F13/40 , G06F13/42
摘要： 本发明实施例提供一种总线低边驱动器及驱动芯片，属于芯片技术领域。所述总线低边驱动器包括：驱动桥，其基于若干晶体管构成，且检测跟随于总线共模电压的低边中点电压；以及比较电路，连接所述驱动桥，用于比较所述低边中点电压与地线信号的电压值，并在所述低边中点电压的电压值小于所述地线信号而产生低边反向过压时，触发所述驱动桥中的晶体管的通断配合以隔离所述低边中点电压和所述地线信号，其中所述地线信号的电压值为零。本发明实施例首先通过驱动桥检测跟随于总线共模电压的低边中点电压，再通过比较电路实现低边中点电压和电压值为零的地线信号的比较，进而确定产生低边反向过压，并将低边中点电压和地线信号隔离开，实现过压保护。
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公开(公告)号：CN117647718A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311514634.4
申请日：2023-11-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及芯片测试领域，尤其涉及一种芯片共模干扰测试电路及方法。该电路包括：AC/DC转换电路、隔离高压电源模块电路、驱动电路以及串联MOSFET；其中，AC/DC转换电路的输出端分别与所述待测试芯片的电源端和隔离高压电源模块电路的输入端连接，AC/DC转换电路的输出端还与所述驱动电路连接，隔离高压电源模块电路的参考地和待测试芯片的第一参考地连接，隔离高压电源模块电路的输出与串联MOSFET的第一漏极连接，驱动电路的输出与反向串联MOSFET的栅极连接，所述驱动电路的参考地与反向串联MOSFET的源极连接，反向串联MOSFET的第二漏极与待测试芯片的第二参考地连接。本发明能够提高测试效率并且提高测试准确性以及可重复性。
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公开(公告)号：CN116775777A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310762727.2
申请日：2023-06-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G06F16/28 , G06F16/27 , G06Q10/20 , G06F18/213 , G06F18/2431 , G16Y40/35 , G16Y40/40
摘要： 本发明公开了一种农机作业数据的管理方法、装置以及存储介质、芯片设备，方法包括：农机作业过程中，确定处于工作状态的传感器，记为工作传感器；获取工作传感器的工业互联网标识和采集的农机作业数据；根据工业互联网标识和农机作业数据，确定农机的当前作业场景；建立工业互联网标识及其对应的农机作业数据，与当前作业场景的对应关系，并将对应关系上传至云端存储。该方法将工业互联网标识(即MA标识)体系引入农机作业传感器身份编码与标识，可实现工业互联网级的农机作业载荷资源管理，推动农机数字化、网络化、智能化转型。
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公开(公告)号：CN118336653A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410281016.8
申请日：2024-03-12
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片保护电路、芯片、电子设备及芯片保护方法。该电路包括：驱动器保护电路以及接收器保护电路；其中，所述驱动器保护电路与所述芯片的驱动器的第一使能端连接；所述接收器保护电路与所述芯片的接收器的第二使能端连接；所述驱动器保护电路，用于控制所述第一使能端的电平，以对所述驱动器进行保护；所述接收器保护电路，用于控制所述第二使能端的电平，以对所述接收器进行保护。本发明能够降低成本且提高电路响应速度。
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公开(公告)号：CN117033280A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310760957.5
申请日：2023-06-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种用于I2C总线的热插拔保护电路、接口芯片及热插拔系统，属于热插拔技术领域。该电路热插拔保护电路包括控制电路、上拉电路和切断电路，控制电路的两个输入端分别接入I2C总线和次板电源VDD，输出端连接上拉电路的第一输入端，切断电路的输入端连接VDD，输出端连接上拉电路的第二输入端，上拉电路的输出端接入I2C总线。所述控制电路被配置为在VDD先插入的情况下，在设定时间导通上拉电路，以通过上拉电路来拉高悬空的I2C总线。所述切断电路被配置为在I2C总线先插入的情况下，切断VDD与I2C总线之间的电流流入通路。本发明实施例解决了由于插入顺序和上电顺序导致的不良热插拔的缺陷，减少了软硬件负担。
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