-
公开(公告)号：CN105656439B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201511023398.1
申请日：2015-12-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种可降低运算放大器功耗的开关电容偏置电路，包括P型电流源管偏置单元SCP和N型电流源管偏置单元SCN，该偏置电路利用电容分压，快速传递输入信号；受时钟馈通效应干扰小；可产生不同偏置电压，无需复杂的前端偏置产生电路，节约芯片面积；无直流电流通路，不增加额外功耗。可广泛地适用于任何工作在一定开关频率下的运算放大电路中，帮助运算放大器实现较低的功耗开销和较快速的信号建立。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558582A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611046358.3
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0248
Abstract: 本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。通过本发明提高了芯片的ESD防护能力，保证了芯片的成品率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN106558582B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611046358.3
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第一NMOS晶体管MN0输出的输出电压Vb1为高电平，且，通过第三PMOS晶体管MP2和第一PMOS晶体管MP0输出的偏置电压Vb2为高电平时，开启第三NMOS晶体管MN2和第二NMOS晶体管MN1,泄放电流。通过本发明提高了芯片的ESD防护能力，保证了芯片的成品率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN104638887B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510050634.2
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种可实现输出高电平转换的输出驱动电路，其特征在于：包括第一电源VDD1，第二电源VDD2、输出控制电路T、上拉P管预驱动电路、上拉输出驱动PMOS管MP2、下拉输出驱动管MN5、输出隔离电路、下拉N管预驱动电路、可变驱动信号MID发生电路、下拉预驱动电路。上拉P管预驱动电路通过电平移位缓冲电路SHIFT的拉升，并利用反馈电路加速，为驱动管MP2提供可变驱动信号MID，使得整个电路在无高压器件的条件下实现输出高电平电压的转换。该技术相比其他电路的特点是：不需要额外的高压器件的输出管；可实现低电平输入高电平输出的不同选择；快速驱动负载；可隔离电源噪声；面积较小；功耗较小。
-
公开(公告)号：CN104638887A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510050634.2
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种可实现输出高电平转换的输出驱动电路，其特征在于：包括第一电源VDD1，第二电源VDD2、输出控制电路T、上拉P管预驱动电路、上拉输出驱动PMOS管MP2、下拉输出驱动管MN5、输出隔离电路、下拉N管预驱动电路、可变驱动信号MID发生电路、下拉预驱动电路。上拉P管预驱动电路通过电平移位缓冲电路SHIFT的拉升，并利用反馈电路加速，为驱动管MP2提供可变驱动信号MID，使得整个电路在无高压器件的条件下实现输出高电平电压的转换。该技术相比其他电路的特点是：不需要额外的高压器件的输出管；可实现低电平输入高电平输出的不同选择；快速驱动负载；可隔离电源噪声；面积较小；功耗较小。
-
公开(公告)号：CN105656439A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511023398.1
申请日：2015-12-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/4539 , H03F2203/45092
Abstract: 一种可降低运算放大器功耗的开关电容偏置电路，包括P型电流源管偏置单元SCP和N型电流源管偏置单元SCN，该偏置电路利用电容分压，快速传递输入信号；受时钟馈通效应干扰小；可产生不同偏置电压，无需复杂的前端偏置产生电路，节约芯片面积；无直流电流通路，不增加额外功耗。可广泛地适用于任何工作在一定开关频率下的运算放大电路中，帮助运算放大器实现较低的功耗开销和较快速的信号建立。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.536 seconds)
