公开(公告)号：CN115617112A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211177467.4

申请日：2022-09-26

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 万禾湛 ,  王宗民 ,  涂彦杰 ,  杨晓君 ,  于广莹 ,  王磊 ,  李晓博 ,  王秀芝 ,  吕超 ,  孔瀛 ,  莫艳图 ,  宋奎鑫 ,  柏晓鹤 ,  李阳 ,  马佩 ,  曹亦栋

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路，属于模拟集成电路技术领域；包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr；采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构，以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声，增强了LDO的PSRR。