公开(公告)号：CN113691240B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202110809119.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 张宏韬 ,  冯春红 ,  胡玲 ,  陈伟吉

IPC: H03K3/64

Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种隔离50kV高压的SiC MOSFET驱动电路，包括：脉冲前后沿产生电路、驱动放大电路、高压驱动脉冲变压器、高压侧驱动控制电路以及SiC MOSFET；驱动电路工作时，调制脉冲经过脉冲前后沿产生电路产生导通窄脉冲串和截止窄脉冲串，经驱动放大电路放大和高压驱动脉冲变压器传输后，给SiC MOSFET的GS间结电容充电，产生与调制脉冲等宽的SiC MOSFET驱动电压。本发明不仅能够给浮动在50kV高压上的SiCMOSFET提供正常驱动电压，一致性好，还能兼顾宽脉冲和窄脉冲，适合复杂调制脉冲波形，同时没有高压隔离供电电路，电路简单。

公开(公告)号：CN113691240A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110809119.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 张宏韬 ,  冯春红 ,  胡玲 ,  陈伟吉

IPC: H03K3/64

Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种隔离50kV高压的SiC MOSFET驱动电路，包括：脉冲前后沿产生电路、驱动放大电路、高压驱动脉冲变压器、高压侧驱动控制电路以及SiC MOSFET；驱动电路工作时，调制脉冲经过脉冲前后沿产生电路产生导通窄脉冲串和截止窄脉冲串，经驱动放大电路放大和高压驱动脉冲变压器传输后，给SiC MOSFET的GS间结电容充电，产生与调制脉冲等宽的SiC MOSFET驱动电压。本发明不仅能够给浮动在50kV高压上的SiCMOSFET提供正常驱动电压，一致性好，还能兼顾宽脉冲和窄脉冲，适合复杂调制脉冲波形，同时没有高压隔离供电电路，电路简单。