公开(公告)号：CN113691240B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202110809119.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 张宏韬 ,  冯春红 ,  胡玲 ,  陈伟吉

IPC: H03K3/64

Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种隔离50kV高压的SiC MOSFET驱动电路，包括：脉冲前后沿产生电路、驱动放大电路、高压驱动脉冲变压器、高压侧驱动控制电路以及SiC MOSFET；驱动电路工作时，调制脉冲经过脉冲前后沿产生电路产生导通窄脉冲串和截止窄脉冲串，经驱动放大电路放大和高压驱动脉冲变压器传输后，给SiC MOSFET的GS间结电容充电，产生与调制脉冲等宽的SiC MOSFET驱动电压。本发明不仅能够给浮动在50kV高压上的SiCMOSFET提供正常驱动电压，一致性好，还能兼顾宽脉冲和窄脉冲，适合复杂调制脉冲波形，同时没有高压隔离供电电路，电路简单。

公开(公告)号：CN113691240A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110809119.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 张宏韬 ,  冯春红 ,  胡玲 ,  陈伟吉

IPC: H03K3/64

Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种隔离50kV高压的SiC MOSFET驱动电路，包括：脉冲前后沿产生电路、驱动放大电路、高压驱动脉冲变压器、高压侧驱动控制电路以及SiC MOSFET；驱动电路工作时，调制脉冲经过脉冲前后沿产生电路产生导通窄脉冲串和截止窄脉冲串，经驱动放大电路放大和高压驱动脉冲变压器传输后，给SiC MOSFET的GS间结电容充电，产生与调制脉冲等宽的SiC MOSFET驱动电压。本发明不仅能够给浮动在50kV高压上的SiCMOSFET提供正常驱动电压，一致性好，还能兼顾宽脉冲和窄脉冲，适合复杂调制脉冲波形，同时没有高压隔离供电电路，电路简单。

公开(公告)号：CN108983156A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810889483.3

申请日：2018-08-07

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 胡玲 ,  张福建 ,  郑强 ,  冯春红

IPC: G01S7/282

Abstract: 本发明公开一种雷达发射机调制器，包括：依次连接的数字高频振荡发生器、脉冲放大电路、变压器隔离输出电路、互感器隔离接收电路、高频脉冲整形电路、串联双极性绝缘IGBT管以及IGBT管保护电路。本发明能够解决大脉宽甚至超大脉宽同步脉冲的传输问题，有效的减小了脉冲变压器的体积；同时能够解决低压电路与高压电路的隔离问题；此外，采用IGBT单管串联作为调制器的开关管，既能减小调制器的体积又能保证调制器能通过大电流，同时解决高压耐压问题，可以满足工程需要。