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公开(公告)号：CN109104075A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811234344.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H02M1/088
Abstract: 本发明提供变压器耦合型全固态刚管调制电路、调制方法以及调制器，所述调制电路包括供电的电源，还包括：调制模块、隔离变压器、真空微波管和电流互感器；本发明提供的变压器耦合型全固态刚管调制电路、调制方法以及调制器，采用多个开关管IGBT串联和并联作为调制开关，既能减小输出波形前后沿，又能减小限流电阻的压降和功率损耗。
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公开(公告)号：CN113691240A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110809119.3
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H03K3/64
Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种隔离50kV高压的SiC MOSFET驱动电路，包括：脉冲前后沿产生电路、驱动放大电路、高压驱动脉冲变压器、高压侧驱动控制电路以及SiC MOSFET；驱动电路工作时，调制脉冲经过脉冲前后沿产生电路产生导通窄脉冲串和截止窄脉冲串，经驱动放大电路放大和高压驱动脉冲变压器传输后，给SiC MOSFET的GS间结电容充电，产生与调制脉冲等宽的SiC MOSFET驱动电压。本发明不仅能够给浮动在50kV高压上的SiCMOSFET提供正常驱动电压，一致性好，还能兼顾宽脉冲和窄脉冲，适合复杂调制脉冲波形，同时没有高压隔离供电电路，电路简单。
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公开(公告)号：CN113691240B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110809119.3
申请日：2021-07-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H03K3/64
Abstract: 本发明的一个实施例公开了一种隔离50kV高压的SiC MOSFET驱动电路，包括：脉冲前后沿产生电路、驱动放大电路、高压驱动脉冲变压器、高压侧驱动控制电路以及SiC MOSFET；驱动电路工作时，调制脉冲经过脉冲前后沿产生电路产生导通窄脉冲串和截止窄脉冲串，经驱动放大电路放大和高压驱动脉冲变压器传输后，给SiC MOSFET的GS间结电容充电，产生与调制脉冲等宽的SiC MOSFET驱动电压。本发明不仅能够给浮动在50kV高压上的SiCMOSFET提供正常驱动电压，一致性好，还能兼顾宽脉冲和窄脉冲，适合复杂调制脉冲波形，同时没有高压隔离供电电路，电路简单。
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公开(公告)号：CN110133601A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910405118.5
申请日：2019-05-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: G01S7/282
Abstract: 本发明公开了一种X波段多通道高功率微波发射装置及系统，所述装置包括灯丝电源，响应于正直流电压形成直流信号对所述多通道集成速调管的阴极加热使所述阴极发射电子；预调器，用于对输入脉冲调制形成脉冲信号；固态脉冲高压调制器，响应于所述脉冲信号和输入的负直流高压而形成脉冲高压，并将所述脉冲高压输入所述多通道集成速调管的阴极以为所述阴极供电；前级固态放大器，将输入的射频信号调制为多路小功率微波信号；多通道集成速调管，用于基于所述脉冲高压和所述直流信号将每路小功率微波信号功率放大形成多路高功率微波信号，本发明可解决以往基于相对论电真空器件组成的高功率微波系统工程实用化较差、难于使用的问题。
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公开(公告)号：CN110133601B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910405118.5
申请日：2019-05-16
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: G01S7/282
Abstract: 本发明公开了一种X波段多通道高功率微波发射装置及系统，所述装置包括灯丝电源，响应于正直流电压形成直流信号对所述多通道集成速调管的阴极加热使所述阴极发射电子；预调器，用于对输入脉冲调制形成脉冲信号；固态脉冲高压调制器，响应于所述脉冲信号和输入的负直流高压而形成脉冲高压，并将所述脉冲高压输入所述多通道集成速调管的阴极以为所述阴极供电；前级固态放大器，将输入的射频信号调制为多路小功率微波信号；多通道集成速调管，用于基于所述脉冲高压和所述直流信号将每路小功率微波信号功率放大形成多路高功率微波信号，本发明可解决以往基于相对论电真空器件组成的高功率微波系统工程实用化较差、难于使用的问题。
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