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公开(公告)号：CN117129523A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311102513.9
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京市计量检测科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路散热涂层温度测试装置及方法，属于集成电路散热领域。所述的温度测试装置包括测量装置由一个冷棒端和一个热棒端组成，其中冷棒端上安装显微红外探测器，冷棒端上安装5个热电偶，分别连接数据采集器，冷棒顶端上也安装显微红外探测器，用于测量冷棒顶端的温度。本发明提供一种集成电路界面温度测试方法，以热传导理论为基础，建立集成电路散热涂层材料散热模型和测量方法，得到界面涂层的散热温度和热流密度来表征散热能力。
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公开(公告)号：CN119573918A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510140595.9
申请日：2025-02-08
Applicant: 北京市计量检测科学研究院
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，提供了一种水平温场的测量方法与装置。该方法包括：根据待测石墨烯所采用的目标制备方法，选取与所述目标制备方法对应的基础导热率；获取所述待测石墨烯的实际密度和实际碳氢比；根据所述待测石墨烯的实际密度和实际碳氢比，确定导热率修正值；利用所述导热率修正值，对与所述目标制备方法对应的基础导热率进行修正，以得到所述待测石墨烯的修正导热率；通过所述修正导热率推算所述待测石墨烯的水平温场。因此该方法只需获取目标制备方法以及待测石墨烯的实际密度和实际碳氢比，即可最终推算待测石墨烯的水平温场，相对于目前通过特定测量设备测量石墨烯水平温场的方式，效率更高，并且也能够降低成本。
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公开(公告)号：CN119573918B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510140595.9
申请日：2025-02-08
Applicant: 北京市计量检测科学研究院
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，提供了一种水平温场的测量方法与装置。该方法包括：根据待测石墨烯所采用的目标制备方法，选取与所述目标制备方法对应的基础导热率；获取所述待测石墨烯的实际密度和实际碳氢比；根据所述待测石墨烯的实际密度和实际碳氢比，确定导热率修正值；利用所述导热率修正值，对与所述目标制备方法对应的基础导热率进行修正，以得到所述待测石墨烯的修正导热率；通过所述修正导热率推算所述待测石墨烯的水平温场。因此该方法只需获取目标制备方法以及待测石墨烯的实际密度和实际碳氢比，即可最终推算待测石墨烯的水平温场，相对于目前通过特定测量设备测量石墨烯水平温场的方式，效率更高，并且也能够降低成本。
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公开(公告)号：CN107677395A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711086555.2
申请日：2017-11-07
Applicant: 北京市计量检测科学研究院
IPC: G01K19/00
CPC classification number: G01K19/00
Abstract: 本发明公开了一种大口径流量检定系统及检定方法，包括：摄像模块，摄像模块通过拍摄被检表的显示屏，获得被检表累积显示值的视频数据；视频采集模块，其连接于摄像模块，获取被检表累积显示值的视频数据，并将其转换为数字信号；数据处理模块，数据处理模块一面与摄像模块连接，获取被检表累积显示值的视频数据，另一面与视频采集模块连接，对数字信号进行处理，获得被检表在检测期间的流量。应用本发明提供的大口径流量检定系统，可以在不改变原有系统的基础上，单加一个小型的数据采集系统，对原系统无干扰，因此节约了大型流量装置技术改造所花费的成本，并且准确度很高，完全可以满足实际应用的需要。
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