公开(公告)号：CN110275328A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910570780.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 杨登才 ,  陈雨康 ,  向美华 ,  王云新 ,  刘萍萍

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明涉及极间厚缓冲层调制器芯片结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了实现更低的调制器件功耗，需要得到较低调制半波电压，本发明在调制器芯片行波电极间的缓冲层处进行了加厚处理，能有效增大电光重叠积分，降低器件半波电压。为铌酸锂强度调制器的功耗降低提供了有效方法。

公开(公告)号：CN110297338A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910570770.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 杨登才 ,  陈雨康 ,  向美华 ,  王云新 ,  刘萍萍

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明涉及一种提高电光调制器带宽的电极结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了解决电光调制器的相速失配问题，本发明在调制器芯片行波电极底部设计了一个镂空结构，可以不填充材料，也可以填充二氧化硅等低介电常数材料，经过计算能够有效降低微波等效折射率，大幅增大电光调制器的器件带宽，为提高铌酸锂电光调制器带宽提供了新的方法。