公开(公告)号：CN110297338A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910570770.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 杨登才 ,  陈雨康 ,  向美华 ,  王云新 ,  刘萍萍

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明涉及一种提高电光调制器带宽的电极结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了解决电光调制器的相速失配问题，本发明在调制器芯片行波电极底部设计了一个镂空结构，可以不填充材料，也可以填充二氧化硅等低介电常数材料，经过计算能够有效降低微波等效折射率，大幅增大电光调制器的器件带宽，为提高铌酸锂电光调制器带宽提供了新的方法。

公开(公告)号：CN110286540A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910551839.7

申请日：2019-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 曹银花 ,  刘萍萍 ,  杨登才 ,  向美华 ,  王云新

IPC: G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/035 ,  G02B6/122 ,  G02B6/35

Abstract: 本发明公开了一种基于马赫增德尔干涉结构的1×4铌酸锂波导光开关，可应用于光通信、光互连、光计算等，属于光电子技术领域。本发明有一个光波输入端口，四个光波输出端口。本发明由两级3个1×2的MZI结构的开关单元阵列组合而成。在第一级光开关单元中有一个1×2的MZI，光经过Y型波导分束器分别进入上下两个干涉臂，随后通过2×2的定向耦合器干涉输出。第二级并行的两个MZI光开关单元中Y型波导分束器的输入端分别与第一级定向耦合器的两个输出端口平行连接。MZI中当干涉臂相位差达到π/2时，可以实现光路在两个输出端口间的切换，对于两级MZI而言，便可以实现四路选通的功能，为制作大规模光开关阵列提供了更大的灵活性。

公开(公告)号：CN110275328A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910570780.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 杨登才 ,  陈雨康 ,  向美华 ,  王云新 ,  刘萍萍

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明涉及极间厚缓冲层调制器芯片结构，属于铌酸锂电光调制技术领域。为了实现更低的调制器件功耗，需要得到较低调制半波电压，本发明在调制器芯片行波电极间的缓冲层处进行了加厚处理，能有效增大电光重叠积分，降低器件半波电压。为铌酸锂强度调制器的功耗降低提供了有效方法。