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公开(公告)号：CN115166458A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210693857.0
申请日：2022-06-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET阈值电压准确测量的方法，该方法可用于SiCMOSFET器件阈值电压的准确测量。包括：(1)给定施加重置栅压的幅值区间；(2)给定重置栅压脉宽的选取标准；(3)给定测试时扫描栅压的施加条件；(4)给定重置栅压与测试扫描栅压之间时间间隔的选取标准。首先，通过初步测量，获取器件阈值电压范围，根据适用条件施加重置栅压填充SiCMOSFET存在的界面态陷阱，控制重置栅压与测试扫描栅压之间的差值，利用下行扫描的测试方法确定此次测量的阈值电压。利用该适用条件，可在填充陷阱避免阈值电压漂移的基础上，无需增加额外设备，即可保证SiC MOSFET的阈值电压避免滞后效应，实现SiCMOSFET阈值电压的准确测量。
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公开(公告)号：CN114216581A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111538206.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种测量功率器件在短路工况下大电流工作时的实时结温测量方法，避免了在短路大电流的工况下，功率器件产生自升温，导致功率器件校温曲线库建立不准确的问题。首先，在给功率器件施加长脉宽的大电流，使其稳定地工作在大电流工况下；其次，通过拟合含有自升温的温度敏感参数曲线得到未产生自升温的温度敏感参数数值，使用这个数值建立该电流下的校温曲线，通过改变器件的工作电流重复以上步骤得到校温曲线库；再次，采集功率器件在短路工况下的温度敏感参数，根据校温曲线库和采集的数据可以在不破坏器件封装的情况下得出功率器件在短路工况下工作的实时结温变化。
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公开(公告)号：CN114216581B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111538206.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种测量功率器件在短路工况下大电流工作时的实时结温测量方法，避免了在短路大电流的工况下，功率器件产生自升温，导致功率器件校温曲线库建立不准确的问题。首先，在给功率器件施加长脉宽的大电流，使其稳定地工作在大电流工况下；其次，通过拟合含有自升温的温度敏感参数曲线得到未产生自升温的温度敏感参数数值，使用这个数值建立该电流下的校温曲线，通过改变器件的工作电流重复以上步骤得到校温曲线库；再次，采集功率器件在短路工况下的温度敏感参数，根据校温曲线库和采集的数据可以在不破坏器件封装的情况下得出功率器件在短路工况下工作的实时结温变化。
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公开(公告)号：CN113866582B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110992743.1
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件开关瞬间抗烧毁能力的检测方法，属于半导体器件测试可靠性的技术领域。主要应用于功率器件开启关断瞬间器件抗烧毁能力的评估，从而指导并提高器件可靠性的方法和装置。首先，通过施加低于盲点的栅压或通态压降，控制功率器件处于导通电阻负温度系数区域，模拟带容性负载开启及感性负载关断等工况；然后，通过对器件施加一组可控的递增脉冲信号，来模拟器件开启关断瞬间的功耗及热点形成情况，从而定量评价功率器件的抗瞬态烧毁能力，进而探索器件耐受瞬态失效的最恶劣条件。本发明也可以用于评价功率器件其它工况下抗瞬态烧毁能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115993521A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310106808.7
申请日：2023-02-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了开关过程中碳化硅MOSFET芯片瞬态温度实时测量方法，以栅极电压、源漏电压、源漏电流和温度作为维度，创建四维数据库。本发明使用可以更加精确表征芯片结温实时变化的温敏参数：栅极电压、源漏电压、源漏电流。测量芯片在不同温度下上述的温敏参数，测量结束后，通过对测量数据插值、拟合，建立栅极电压‑源漏电压‑源漏电流‑温度四维校温数据库。在测量碳化硅MOSFET芯片结温时，可通过测量芯片的栅极电压、源漏电压、源漏电流，并使用此建立好的四维校温数据库，反推出芯片温度。
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公开(公告)号：CN113866582A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110992743.1
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件开关瞬间抗烧毁能力的检测方法，属于半导体器件测试可靠性的技术领域。主要应用于功率器件开启关断瞬间器件抗烧毁能力的评估，从而指导并提高器件可靠性的方法和装置。首先，通过施加低于盲点的栅压或通态压降，控制功率器件处于导通电阻负温度系数区域，模拟带容性负载开启及感性负载关断等工况；然后，通过对器件施加一组可控的递增脉冲信号，来模拟器件开启关断瞬间的功耗及热点形成情况，从而定量评价功率器件的抗瞬态烧毁能力，进而探索器件耐受瞬态失效的最恶劣条件。本发明也可以用于评价功率器件其它工况下抗瞬态烧毁能力。
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公开(公告)号：CN115166458B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210693857.0
申请日：2022-06-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET阈值电压准确测量的方法，该方法可用于SiCMOSFET器件阈值电压的准确测量。包括：(1)给定施加重置栅压的幅值区间；(2)给定重置栅压脉宽的选取标准；(3)给定测试时扫描栅压的施加条件；(4)给定重置栅压与测试扫描栅压之间时间间隔的选取标准。首先，通过初步测量，获取器件阈值电压范围，根据适用条件施加重置栅压填充SiCMOSFET存在的界面态陷阱，控制重置栅压与测试扫描栅压之间的差值，利用下行扫描的测试方法确定此次测量的阈值电压。利用该适用条件，可在填充陷阱避免阈值电压漂移的基础上，无需增加额外设备，即可保证SiC MOSFET的阈值电压避免滞后效应，实现SiCMOSFET阈值电压的准确测量。
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公开(公告)号：CN218933613U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202222965087.9
申请日：2022-11-08
Applicant: 中交建筑集团有限公司 , 中交建冀交高速公路投资发展有限公司 , 中交投资有限公司 , 北京工业大学 , 河北通达工程监理咨询有限公司 , 中交雄安建设有限公司
IPC: E04C5/16
Abstract: 本实用新型公开了一种组合式半灌浆套筒，属于装配式构件连接技术领域，包括锚固套筒、穿插于锚固套筒连接端的钢筋、与锚固套筒的锚固端相连的灌浆套筒，所述锚固套筒的内侧形成有锥形的内腔，所述锚固套筒和钢筋之间设置有连接结构，所述连接结构包括活动夹块和限位螺母，所述活动夹块的外侧形成有锥形面；沿锚固端至连接端轴向移动所述活动夹块，通过所述内腔与锥形面配合，使得所述锚固套筒能够将活动夹块压紧于钢筋，所述限位螺母连接在锚固套筒上用于对活动夹块进行限位。本实用新型套筒可以提高半灌浆套筒在螺纹连接处的性能。
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公开(公告)号：CN218952010U
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202222984872.9
申请日：2022-11-09
Applicant: 中交建筑集团有限公司 , 中交建冀交高速公路投资发展有限公司 , 中交投资有限公司 , 北京工业大学 , 华设检测科技有限公司 , 中交雄安建设有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种增设摇摆桥墩的既有桥墩抗震性能提升结构，属于桥梁工程抗震韧性提升技术领域，包括既有桥墩、摇摆桥墩、既有盖梁和既有基础，所述既有桥墩和摇摆桥墩均竖直固定在既有盖梁与既有基础之间，所述摇摆桥墩设置在既有桥墩的一侧，竖直贯穿所述既有盖梁、摇摆桥墩与既有基础开设有预应力筋孔道，所述预应力筋孔道内竖直设置有CFRP预应力筋，所述CFRP预应力筋穿过预应力筋孔道将摇摆桥墩与既有盖梁和既有基础连接，所述摇摆桥墩与既有盖梁、既有基础之间还设置有耗能结构，提升延性既有桥墩结构的震后可恢复功能，提高其在地震作用下的自复位能力，保证震后交通生命线的畅通。
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