公开(公告)号：CN107528000A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710734375.4

申请日：2017-08-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邓金祥 ,  张浩 ,  潘志伟 ,  陈亮

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/002 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0504

Abstract: 一种利用rubrene/C60双层异质结制备双极型有机场效应管的方法属于微电子有机器件领域。本发明分别采用rubrene和C60作为p型和n型材料制备rubrene/C60异质结双极场效应管，提高AOFET中的电子和空穴的载流子迁移率。本发明制备了一种新的双极有机场效应管，场效应管均有较高的电子和空穴迁移率。所述制备方法仅为常规的蒸镀、PVT、退火等工艺，便于实现且价格低廉。

公开(公告)号：CN107513695B

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201710741284.3

申请日：2017-08-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邓金祥 ,  张浩 ,  潘志伟 ,  白志英

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/08

Abstract: 利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法，属于半导体材料领域。使用射频磁控溅射设备在单晶抛光硅片(Si)上沉积一层Nb:Ga2O3薄膜材料。用一种管式炉慢退火的杂质激活工艺，使Nb:Ga2O3薄膜材料中Nb分布均匀化；使Nb离子迁移到晶格中的空位缺陷处，并由间隙位占据替代位；减少结构缺陷，提高结晶化程度，增大晶粒尺寸，进一步提高薄膜质量。与已有技术相比，本发明的特征在于通过选用Nb作为掺杂剂，Ga2O3的禁带宽度有更大的禁带宽度调谐范围。

公开(公告)号：CN107513695A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710741284.3

申请日：2017-08-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 邓金祥 ,  张浩 ,  潘志伟 ,  白志英

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/08 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185

Abstract: 利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法，属于半导体材料领域。使用射频磁控溅射设备在单晶抛光硅片(Si)上沉积一层Nb:Ga2O3薄膜材料。用一种管式炉慢退火的杂质激活工艺，使Nb:Ga2O3薄膜材料中Nb分布均匀化；使Nb离子迁移到晶格中的空位缺陷处，并由间隙位占据替代位；减少结构缺陷，提高结晶化程度，增大晶粒尺寸，进一步提高薄膜质量。与已有技术相比，本发明的特征在于通过选用Nb作为掺杂剂，Ga2O3的禁带宽度有更大的禁带宽度调谐范围。