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公开(公告)号：CN118763506B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410905847.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法，包括：在同一外延结构上表面上依次设置的片上布拉格反射光栅、脊形波导阵列、第一泄漏槽、锥形波导阵列、第二泄漏槽和级联耦合区；片上布拉格反射光栅设置在脊形波导阵列后端面，第一泄漏槽设置在脊形波导阵列中的各个脊形波导的两边，第二泄漏槽设置在锥形波导阵列中的各个锥形波导的两边，级联耦合区设置在锥形波导阵列的前端面。本发明通过在脊形波导阵列后端设置片上布拉格反射光栅，并配合第一泄漏槽和第二泄漏槽，提高了激光纵模模式与横模模式的选择特性，再通过锥形波导阵列的放大作用和级联耦合区的耦合作用，得到大功率激光束输出，最终可获得高亮度、高功率的基模光束输出。
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公开(公告)号：CN119834063A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411971137.1
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种双吸收损耗型高功率单模半导体激光器与制备方法，包括：在同一外延结构上设置的主振荡波导、左超伴波导、右超伴波导、锥形增益波导以及吸收波导，左超伴波导和右超伴波导分别位于主振荡波导的左右两侧，共同形成超对称波导；锥形增益波导位于超对称波导的前端，吸收波导位于锥形增益波导的前端；其中，左超伴波导和右超伴波导，用于损耗主振荡波导产生的多横模激光中的高阶横模模式；吸收波导，用于损耗锥形增益波导中残余的高阶横模。基于此，本发明可获得高功率、高光束质量的单模激光输出。
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公开(公告)号：CN118299926A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410432385.2
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种片上互注入锥形相干阵激光阵列芯片结构及制备方法，从左至右包括：设置在同一外延结构上的片上布拉格反射光栅阵列、左脊波导阵列、片上集成n*ZT/2Talbot过滤腔、右脊波导阵列、泄漏槽和锥形波导阵列；左脊波导阵列、右脊波导阵列和片上布拉格反射光栅阵列垂直刻蚀至外延结构的P面波导层，锥形波导阵列垂直刻蚀至外延结构的P面限制层；片上集成n*ZT/2Talbot过滤腔无需刻蚀；泄漏槽刻蚀至外延结构的N面波导层。本发明提高了基模激光输出的模式选择特性，同时实现左右两侧脊波导阵列激光光场的互注入耦合相干锁相，再逐一通过右侧锥形波导的放大作用，最终可获得高亮度、高功率基模激光光束输出。
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公开(公告)号：CN118763506A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410905847.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法，包括：在同一外延结构上表面上依次设置的片上布拉格反射光栅、脊形波导阵列、第一泄漏槽、锥形波导阵列、第二泄漏槽和级联耦合区；片上布拉格反射光栅设置在脊形波导阵列后端面，第一泄漏槽设置在脊形波导阵列中的各个脊形波导的两边，第二泄漏槽设置在锥形波导阵列中的各个锥形波导的两边，级联耦合区设置在锥形波导阵列的前端面。本发明通过在脊形波导阵列后端设置片上布拉格反射光栅，并配合第一泄漏槽和第二泄漏槽，提高了激光纵模模式与横模模式的选择特性，再通过锥形波导阵列的放大作用和级联耦合区的耦合作用，得到大功率激光束输出，最终可获得高亮度、高功率的基模光束输出。
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