一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117661022A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311680121.0

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法在钨板上制备出纳米多孔三氧化钨薄膜,然后将其浸入含三聚氰胺的乙二醇溶液中30min,随后将其转移至管式炉,在700℃‑1000℃的Ar气氛下碳氮化1‑3h,最终得到膜层厚度为400±50nm的含有碳氮化钨异质结薄膜。碳氮化钨异质结薄膜可有效降低材料禁带宽度,电导率增强15倍,并兼具有多活性位点和高耐酸碱腐蚀等功能特性。此外,在异质结处存在不同程度的位错和畸变,用于增强半导体材料电子与空穴的分离,有益于电子从价带导带跃迁到导带。综合来说,能够较好的满足电催化领域的应用需求。

    基于APB总线的OWI通讯设备

    公开(公告)号:CN111026691B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201911269809.3

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明公开了基于APB总线的OWI通讯设备,所述OWI装置包括APB总线接口模块和OWI通讯接口模块;本设计为实现基于APB总线上的单线通讯方法,通过APB总线模块对OWI模块进行控制,解决了APB总线上多线的通讯方式,将TX和RX合并在一根线上,从而实现了APB总线上单线通讯。本设计中在片选信号拉高后,APB接口模块通过控制模块控制OWI接口接收或发送数据,将TX与RX都通过一根线进行传输数据,实现一种单线的通讯方式。

    基于APB总线的OWI通讯设备

    公开(公告)号:CN111026691A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911269809.3

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明公开了基于APB总线的OWI通讯设备,所述OWI装置包括APB总线接口模块和OWI通讯接口模块;本设计为实现基于APB总线上的单线通讯方法,通过APB总线模块对OWI模块进行控制,解决了APB总线上多线的通讯方式,将TX和RX合并在一根线上,从而实现了APB总线上单线通讯。本设计中在片选信号拉高后,APB接口模块通过控制模块控制OWI接口接收或发送数据,将TX与RX都通过一根线进行传输数据,实现一种单线的通讯方式。

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