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公开(公告)号:CN117661022A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311680121.0
申请日:2023-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法在钨板上制备出纳米多孔三氧化钨薄膜,然后将其浸入含三聚氰胺的乙二醇溶液中30min,随后将其转移至管式炉,在700℃‑1000℃的Ar气氛下碳氮化1‑3h,最终得到膜层厚度为400±50nm的含有碳氮化钨异质结薄膜。碳氮化钨异质结薄膜可有效降低材料禁带宽度,电导率增强15倍,并兼具有多活性位点和高耐酸碱腐蚀等功能特性。此外,在异质结处存在不同程度的位错和畸变,用于增强半导体材料电子与空穴的分离,有益于电子从价带导带跃迁到导带。综合来说,能够较好的满足电催化领域的应用需求。
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公开(公告)号:CN111026691B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201911269809.3
申请日:2019-12-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F13/38
Abstract: 本发明公开了基于APB总线的OWI通讯设备,所述OWI装置包括APB总线接口模块和OWI通讯接口模块;本设计为实现基于APB总线上的单线通讯方法,通过APB总线模块对OWI模块进行控制,解决了APB总线上多线的通讯方式,将TX和RX合并在一根线上,从而实现了APB总线上单线通讯。本设计中在片选信号拉高后,APB接口模块通过控制模块控制OWI接口接收或发送数据,将TX与RX都通过一根线进行传输数据,实现一种单线的通讯方式。
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公开(公告)号:CN111026691A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911269809.3
申请日:2019-12-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F13/38
Abstract: 本发明公开了基于APB总线的OWI通讯设备,所述OWI装置包括APB总线接口模块和OWI通讯接口模块;本设计为实现基于APB总线上的单线通讯方法,通过APB总线模块对OWI模块进行控制,解决了APB总线上多线的通讯方式,将TX和RX合并在一根线上,从而实现了APB总线上单线通讯。本设计中在片选信号拉高后,APB接口模块通过控制模块控制OWI接口接收或发送数据,将TX与RX都通过一根线进行传输数据,实现一种单线的通讯方式。
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公开(公告)号:CN119710786A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202510088593.X
申请日:2025-01-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B11/081 , C25B11/067 , C25B1/04
Abstract: 一种基于碳氮化钨基底的共格异质结构催化剂材料及其制备方法,属于催化剂领域。制备含铂和掺杂金属盐的溶液即A溶液;制备含表面活性剂的还原剂溶液即B溶液。将WCN基底片置于B溶液中,将B溶液加热至220~250℃,然后逐步将A溶液滴加至B溶液之中,恒温反应至滴完为止,搅拌冷却至室温,即可在WCN纳米结构上原位生成具有共格异质结构Pt基纳米催化剂颗粒;本发明催化剂与基底材料形成共格界面结构,促进界面电荷分配与转移,进而提升纳米催化剂的活性和稳定性。
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公开(公告)号:CN117822021A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202311703789.2
申请日:2023-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/061 , C25B11/031 , C25B1/04
Abstract: 一种用于高效制氢的NiFeLa LDH的制备方法,属于新能源电催化技术领域。处理过的泡沫镍作为基底,然后采用恒电位电沉积的方法在泡沫镍上沉积得到NiFeLa LDH。本发明制备的电催化剂,其合成方法操作简单、反应效率高,且形貌均匀、稳定性高,制备得到的电极能明显提高析氢析氧的电催化活性,具有广泛的应用前景。
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