一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117661022A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311680121.0

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法在钨板上制备出纳米多孔三氧化钨薄膜,然后将其浸入含三聚氰胺的乙二醇溶液中30min,随后将其转移至管式炉,在700℃‑1000℃的Ar气氛下碳氮化1‑3h,最终得到膜层厚度为400±50nm的含有碳氮化钨异质结薄膜。碳氮化钨异质结薄膜可有效降低材料禁带宽度,电导率增强15倍,并兼具有多活性位点和高耐酸碱腐蚀等功能特性。此外,在异质结处存在不同程度的位错和畸变,用于增强半导体材料电子与空穴的分离,有益于电子从价带导带跃迁到导带。综合来说,能够较好的满足电催化领域的应用需求。

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