公开(公告)号：CN116995534A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311106180.7

申请日：2023-08-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王智勇 ,  苗淑雅 ,  代京京 ,  李尉 ,  李胜南

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/14 ,  H01S5/042 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种并联耦合自成像外腔相干阵半导体激光器，包括：半导体激光芯片阵列、通光介质层和外腔反射层；半导体激光芯片阵列包括多个发光单元，通光介质层和外腔反射层构成激光自成像外腔；半导体激光芯片阵列出光面的非发光区域镀有高反射膜，高反射膜使半导体激光芯片阵列边缘处由于自成像不完全而导致无法注入至发光单元的反馈光可在自成像外腔中多次振荡，以重新形成可完全注入到发光单元中的自成像。本发明提高了发光区域外激光的注入，可将芯片阵列中包括边缘在内的所有发光单元高效并联耦合，消除自成像外腔反馈产生的芯片阵列边缘效应，增强自成像外腔反馈效率，获得高并联耦合效率、高效光互注入的相干阵激光输出。

公开(公告)号：CN118487096A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410520196.0

申请日：2024-04-28

Applicant: 北京工业大学 ,  北京空间机电研究所

Inventor： 代京京 ,  罗建军 ,  王智勇 ,  赵思思 ,  李同 ,  赵号 ,  王子豪 ,  杨孟婕 ,  李尉 ,  李胜南

IPC: H01S3/08 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明公开了一种重组成像变换的自傅里叶腔共振器结构，自下至上依次包括：激光发射单元、共振腔层、傅里叶变换层和端面分光层。激光发射单元出射的自傅里叶函数型光束依次通过共振腔层、傅里叶变换层经端面分光层反馈形成光场的自傅里叶变换，实现共振腔内重组成像。自傅里叶型光场经过傅里叶变换层满足自傅里叶变换的时域和频域上的对称性，往返后得到的光场分布与初始光场的振幅和相位相同，得到边缘损失极小的像光场重组实现点对点互注入反馈，最后形成激光阵列光场的空间相干合成。基于自傅里叶腔共振器结构将一系列相互独立的激光元件相干地组合在一起，为激光阵列实现相干耦合可以提供更低的损耗、更好的元件间耦合和更好的模态鉴别特性。

公开(公告)号：CN113937619A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111194382.2

申请日：2021-10-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王智勇 ,  代京京 ,  兰天 ,  李胜南

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种异带泵浦1550nm的光子级联VCSEL激光器及制备方法，衬底上的VCSEL芯片外延结构自衬底侧向上依次包括：N型DBR层、N型全反射DBR层、稀土元素掺杂层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型全反射DBR层和P型DBR层；N型全反射DBR层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层和P型全反射DBR层构成第一激光谐振腔，N型DBR层、稀土元素掺杂层、氧化层和P型DBR层构成第二激光谐振腔，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成光子级联复合腔。本发明通过稀土元素掺杂层实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高发光效率，并实现1550nm波长的激光输出。