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公开(公告)号：CN102569331A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110409964.8
申请日：2011-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供了一种负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域，包括依次纵向层叠的衬底101、金属键合层102、红光发光二极管103、第一透明的正温度系数电阻104，绿光发光二极管105、第二透明的正温度系数电阻106和蓝光发光二极管107，本发明提供的负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，在有效降低控制电路复杂度的同时，保证二极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102214724A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110159351.3
申请日：2011-06-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温下工作。高增益雪崩二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极，由n型重掺杂层，电荷倍增区，p型重掺杂层组成的雪崩区，吸收区，吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层，其特征在于，雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。该高增益雪崩二极管能够大大降低器件总的暗电流，从而提高器件增益，提高探测频率。
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公开(公告)号：CN103400872B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310275872.4
申请日：2013-06-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相连，使得纵向电场得到增强，提高探测器响应速度，同时引入横向电场，增加光生空穴的输运通道，降低输运电阻，减少p型轻掺杂区105中的光生空穴向电极输运时的非辐射复合，提高光生空穴收集效率，从而有效地提高了量子效率。本发明提供一种表面电场增强的PIN光电探测器的结构设计和制备工艺，解决了传统结构的光电探测器对光生载流子收集效率低的问题，提高了器件的光谱响应。
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公开(公告)号：CN102569331B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110409964.8
申请日：2011-12-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供了一种负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，属于半导体光电子技术领域，包括依次纵向层叠的衬底101、金属键合层102、红光发光二极管103、第一透明的正温度系数电阻104，绿光发光二极管105、第二透明的正温度系数电阻106和蓝光发光二极管107，本发明提供的负反馈纵向集成无荧光粉白光发光二极管，在有效降低控制电路复杂度的同时，保证二极管的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103400872A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310275872.4
申请日：2013-06-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相连，使得纵向电场得到增强，提高探测器响应速度，同时引入横向电场，增加光生空穴的输运通道，降低输运电阻，减少p型轻掺杂区105中的光生空穴向电极输运时的非辐射复合，提高光生空穴收集效率，从而有效地提高了量子效率。本发明提供一种表面电场增强的PIN光电探测器的结构设计和制备工艺，解决了传统结构的光电探测器对光生载流子收集效率低的问题，提高了器件的光谱响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102570302B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210019209.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
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公开(公告)号：CN102570302A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019209.3
申请日：2012-01-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形式双折射”效应，TE、TM偏振模式在谐振腔分别满足不同的F-P标具方程，两偏振模式的谐振波长分离，设计TE偏振模式波长在中心波长处，该模式比TM偏振模式需更低的阈值增益，优先激射，TM偏振模式将被抑制，从而使偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器在波长连续调谐过程中具有波长偏振稳定输出的功能。
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公开(公告)号：CN101997070A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010279243.5
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与金属反光层及金属扩散阻挡层之间设置有图形欧姆接触层、非金属层和元素扩散阻挡层；上电极的正下方对应的图形欧姆接触层的图形中存在一个空位，并且空位处填充有非金属层；即图形欧姆接触层、非金属层在同一层同样厚度上；在图形欧姆接触层和金属反光层及金属扩散阻挡层之间设有阻挡大量金属元素向外延层扩散的元素扩散阻挡层。本发明使器件电流分布均匀化，有效的降低了器件电压，并提高了器件的光功率。
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公开(公告)号：CN102214724B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110159351.3
申请日：2011-06-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温下工作。高增益雪崩二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极，由n型重掺杂层，电荷倍增区，p型重掺杂层组成的雪崩区，吸收区，吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层，其特征在于，雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。该高增益雪崩二极管能够大大降低器件总的暗电流，从而提高器件增益，提高探测频率。
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公开(公告)号：CN102570301B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010616548.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
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