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公开(公告)号：CN102013633B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010532381.X
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)、铝砷化镓层(2b)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8a)、n型砷化镓层(8b)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，纳米光栅(15)位于砷化镓层(2a)表面之上。由于空气隙层的厚度可以通过静电力等机械调整，因此使得激光器谐振腔内部传输光子相位变化，同时输出的光束经过纳米光栅(15)，从而实现波长和偏振的同时控制。
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公开(公告)号：CN101997070A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010279243.5
申请日：2010-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与金属反光层及金属扩散阻挡层之间设置有图形欧姆接触层、非金属层和元素扩散阻挡层；上电极的正下方对应的图形欧姆接触层的图形中存在一个空位，并且空位处填充有非金属层；即图形欧姆接触层、非金属层在同一层同样厚度上；在图形欧姆接触层和金属反光层及金属扩散阻挡层之间设有阻挡大量金属元素向外延层扩散的元素扩散阻挡层。本发明使器件电流分布均匀化，有效的降低了器件电压，并提高了器件的光功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102013633A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010532381.X
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于表面纳米光栅的波长可调谐垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为空气隙层(12)、砷化镓层(2a)、铝砷化镓层(2b)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8a)、n型砷化镓层(8b)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，纳米光栅(15)位于砷化镓层(2a)表面之上。由于空气隙层的厚度可以通过静电力等机械调整，因此使得激光器谐振腔内部传输光子相位变化，同时输出的光束经过纳米光栅(15)，从而实现波长和偏振的同时控制。
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公开(公告)号：CN101764354A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910244429.4
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。
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公开(公告)号：CN101764354B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910244429.4
申请日：2009-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法属于半导体光电子器件领域。该激光器为内腔接触式的层叠结构，正向电极层(1)设置在p型欧姆接触层(5)上，欧姆接触层(5)以上依次为相位调节层(13)、铝砷化镓层(3)、砷化镓层(2)，欧姆接触层(5)以下依次为铝砷化镓氧化电流限制层(6)、有源区(7)、n型铝砷化镓层(8)、n型砷化镓层(9)、n型砷化镓衬底(10)、衬底电极层(11)，其中相位调节层(13)采用具有透光性的材料，其厚度可以根据设计双波长的位置、频差需要采用任意厚度，而不局限为激光器所输出激光波长的四分之一的整数倍。由于具有一定厚度的相位调节层可以调节激光器谐振腔内部传输光子相位变化，从而实现多波长发射。
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公开(公告)号：CN102570301B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010616548.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
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公开(公告)号：CN102570301A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010616548.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。
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