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公开(公告)号：CN116598232A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310762006.1
申请日：2023-06-26
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于半导体工件的热处理装置和精确测温方法。所述热处理装置包括一个或多个加热元件；上盖板和下盖板；反应腔室，由上盖板、下盖板和反应腔室主体限定；工件支撑元件；位于上盖板一端的红外发射器；位于上盖板另一端的红外反射传感器，和位于下盖板另一端的红外透射传感器；红外发射器和红外反射传感器位于上盖板面向反应腔室的一侧，红外透射传感器位于下盖板面向反应腔室的一侧；且红外发射器位于反应腔室主体一端的侧壁上，红外反射传感器和红外透射传感器位于反应腔室主体另一端的侧壁上。本发明的热处理装置可精确测量半导体工件表面的温度，并能对半导体工件表面的不同位点进行独立的温度控制，提高控温精度。
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公开(公告)号：CN116124292A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211669616.9
申请日：2022-12-25
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： G01J5/00
摘要： 本公开提供了一种热处理系统和温度测量方法。该热处理系统包括用于测量工件在热处理的过程中的温度的测量系统，该测量系统包括向工件的第一表面发射具有第一波长的脉冲光线的发射器，以及第一探测器，该第一探测器可根据接收的第一表面反射的脉冲光线来测量工件的反射率，并且可根据第一表面辐射的具有第一波长的连续光线来分别测量工件的辐射强度。此外，该系统还包括处理单元，处理单元可根据反射率和第一表面的辐射强度确定第一表面的温度。根据本公开的热处理系统所包括的测量系统能够提高处于热处理工艺中的工件的表面温度的测量精度。
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公开(公告)号：CN115863151A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211669619.2
申请日：2022-12-25
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括：将目标工件置于腔室中的支撑件上，目标工件上形成有氧化硅层；使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体，以得到第一混合物；第一混合物包含带电粒子和自由基；在氮化反应的过程中，利用腔室中的导电栅格结构对第一混合物进行过滤，以去除第一混合物中至少部分带电粒子，得到第二混合物；导电栅格结构位于目标工件远离支撑件的一侧；将目标工件暴露于第二混合物中，以在氧化硅层的至少部分区域上形成氮化硅层，以提升目标工件的稳定性，使得包括该目标工件的半导体器件能够满足高稳定性的应用需求。
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公开(公告)号：CN114864395A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210780263.3
申请日：2022-07-05
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3115 , H01L21/3105
摘要： 本发明涉及一种控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件。所述控制氮掺杂深度分布的方法包括氧化步骤、氮化掺杂步骤和退火步骤；其中，所述氮化掺杂步骤包括源功率不同的第一等离子体氮化掺杂步骤和第二等离子体氮化掺杂步骤。根据本发明的控制氮掺杂深度分布的方法能够获得更宽的氮掺杂深度分布。
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公开(公告)号：CN115863151B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211669619.2
申请日：2022-12-25
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括：将目标工件置于腔室中的支撑件上，目标工件上形成有氧化硅层；使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体，以得到第一混合物；第一混合物包含带电粒子和自由基；在氮化反应的过程中，利用腔室中的导电栅格结构对第一混合物进行过滤，以去除第一混合物中至少部分带电粒子，得到第二混合物；导电栅格结构位于目标工件远离支撑件的一侧；将目标工件暴露于第二混合物中，以在氧化硅层的至少部分区域上形成氮化硅层，以提升目标工件的稳定性，使得包括该目标工件的半导体器件能够满足高稳定性的应用需求。
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公开(公告)号：CN116031141A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211669618.8
申请日：2022-12-25
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种工件处理方法、工件处理设备及半导体器件，涉及半导体制造技术领域。工件处理方法包括：将目标工件置于腔室中的支撑件上，目标工件上形成有氧化硅层；使用包含有氮气的工艺气体生成一种或多种等离子体，以得到混合物；混合物中至少包含带电粒子；在氮化反应的过程中，利用设置于腔室的法拉第屏蔽层，以使带电粒子具有处于预设范围内的第一能量；将目标工件暴露于所包含的带电粒子具有第一能量的混合物中，以在氧化硅层的至少部分区域内形成氮氧化硅层。本公开实施例提供的工件处理方法、工件处理设备及半导体器件能够满足先进制程的要求。
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公开(公告)号：CN116759339A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310763577.7
申请日：2023-06-26
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于半导体工件的热处理装置和温度调控方法。所述热处理装置包括一个或多个加热元件；包含三个或更多个第一窗口的第一盖板；包含两个或更多个第二窗口的第二盖板，所述第二窗口对2.7微米波长的辐射是透过性的；位于所述第一盖板和第二盖板之间的工件支撑元件；温度测量组件，包括一个红外发射器、连续的至少两个红外反射传感器和至少两个红外透射传感器；所述三个或更多个第一窗口中的中间位置的第一窗口面向第二盖板的表面具有反射透射涂层。本发明的热处理装置可精确测量半导体工件表面的温度，并能对半导体工件表面的不同位点进行独立的温度控制，提高控温精度，使得温度控制偏差在±1℃以内。
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公开(公告)号：CN114864395B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780263.3
申请日：2022-07-05
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3115 , H01L21/3105
摘要： 本发明涉及一种控制氮掺杂深度分布的方法和半导体器件。所述控制氮掺杂深度分布的方法包括氧化步骤、氮化掺杂步骤和退火步骤；其中，所述氮化掺杂步骤包括源功率不同的第一等离子体氮化掺杂步骤和第二等离子体氮化掺杂步骤。根据本发明的控制氮掺杂深度分布的方法能够获得更宽的氮掺杂深度分布。
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公开(公告)号：CN114724945A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210535375.2
申请日：2022-05-18
申请人： 北京屹唐半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3115 , H01L21/02 , H01J37/32
摘要： 本发明涉及一种等离子体氮化掺杂方法、等离子体氮化掺杂装置和半导体器件。所述等离子体氮化掺杂方法包括向处理腔室提供等离子体前体气体；向所述处理腔室施加频率在1‑100MHz内的混合异频源射频，以产生等离子体；对待处理工件表面的膜层进行氮化掺杂。根据本发明的等离子体掺杂方法通过采用混合异频源射频能够对氮化掺杂浓度和氮化掺杂深度进行灵活控制。
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