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公开(公告)号：CN116205167A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310157186.0
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种基于人工神经网络系统的晶体管统计模型的建立方法，包括接收并基于第一数据集中的数据利用所述人工神经网络系统生成标准晶体管的名义模型；基于所述第一数据集以及所述名义模型，对所述人工神经网络系统中神经元进行筛选得到最终涨落神经元；基于所述名义模型相对于所述最终涨落神经元的权重的变化情况、所述名义模型相对于阈值电压的变化情况、所述第一数据集中的漏源极电流的分布以及栅源极电压的分布，计算获得所述统计模型中所述最终涨落神经元的权重的分布以及阈值电压的分布；以及基于所述名义模型、所述最终涨落神经元的权重的分布以及所述阈值电压的分布，建立所述统计模型。
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公开(公告)号：CN115374698A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210966753.2
申请日：2022-08-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/27 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种用于预测三端晶体管漏源电流的方法，包括接收所述晶体管的实际栅源极电压，并利用第一人工神经网络产生在所述晶体管的漏源极电压等于第一参考值时的第一漏源电流值；接收所述晶体管的实际漏源极电压，对所述第一漏源电流值与原点形成的直线进行延伸从而获得第二漏源电流；接收所述实际栅源极电压和所述实际漏源极电压，利用第二人工神经网络产生第一比值；以及基于所述第二漏源电流和所述第一比值获得当前偏置条件下对所述晶体管的漏源极电流的预测值；本申请还涉及一种如前述的用于预测三端晶体管漏源电流的人工神经网络系统及其建立方法，以及两种计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN102129982A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010612857.0
申请日：2010-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/3105 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种精细图形的制作方法，包括：在待加工材料的表面上形成牺牲层，对牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；从形成的粗加工图形的侧面对牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；去除覆盖层；以牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形。本发明采用由粗到细的思路，先得到牺牲层粗加工图形，再通过侧面腐蚀以得到牺牲层精细图形，将其作为掩膜刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形，整个方案中所形成的精细图形不受光刻和刻蚀技术水平的限制，制作方法实现简单，与传统制作工艺兼容，可控性好，成本低，具有很强的实用价值。
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公开(公告)号：CN115146770B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210870776.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , G06N3/0464
Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络电路。本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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公开(公告)号：CN119397751A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417369.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/20 , G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 一种器件自热计算、电路仿真方法及计算机程序产品，应用于电路仿真技术领域，其中一种器件自热计算方法包括：获取待仿真电子器件的热模型和热模型参数；获取当前的温度和当前的器件仿真功率，并基于当前的温度、当前的器件仿真功率、热模型和热模型参数获取待仿真电子器件的自热解析模型；确定待仿真电子器件当前的自热初始温度和当前的仿真时长，并根据自热解析模型得到待仿真电子器件在热模型参数、当前的器件仿真功率和当前的自热初始温度的情况下，经过当前的仿真时长后由当前的温度所达到的当前的自热仿真温度。由于根据自热解析模型计算待仿真电子器件的自热，相当于基于时间的演进计算自热仿真，使得减少仿真计算量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116522757A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310302731.0
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/27 , G06F30/36 , G06N3/044 , G06N3/08 , G06F18/214
Abstract: 本申请公开了一种基于循环神经网络的存储器建模方法和装置，首先获取待建模存储器的电参数特性数据；然后依据电参数特性数据获取电参数训练集以对循环神经网络模型进行训练；再输出完成训练的循环神经网络模型的模型网络参数；最后依据模型网络参数撰写Python脚本，以用于待建模存储器的模型卡生成。由于提出了基于循环神经网络的存储器件建模的通用方法，提出结合神经网络对存储器件进行模型构建的方法，可以加速存储器模型的建立过程，对整个工艺协同设计流程也可以起到加速作用。
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公开(公告)号：CN115271052A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210348043.3
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06N3/063
Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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公开(公告)号：CN115115041A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210340931.0
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元。本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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公开(公告)号：CN102129981A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010616358.9
申请日：2010-12-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法，其中纳米线的制作方法包括：在衬底材料的表面生成呈三明治结构的三层介质层，并进行加工以形成三层介质层矩形图形；从侧面选择性地腐蚀三层介质层的夹心层，形成纳米尺度的缺口；在衬底材料上使用外延生长方式生成一层外延层，外延层填充满所述缺口以形成外延填充区；光刻三层介质层矩形图形的任一相对的两边，留下预定图形的光刻胶图形；刻蚀外延层并去除三层介质层，同时保留所述外延填充区以得到纳米线，且同时也在纳米线的两端形成了可作为晶体管源漏的块。本发明无需采用高精细的图形加工技术，制作方法实现简单，与传统的CMOS工艺兼容，可控性好，成本低，具有很强的实用价值。
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公开(公告)号：CN115115041B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210340931.0
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收输入和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元。本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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