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公开(公告)号：CN108023019A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711372080.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明实施例提供了一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法，属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底，位于基础衬底上的漏源金属电极，金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层，所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层，所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开，基础衬底上方设有一层钝化层，所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构，具有暗电流低、响应速度快、宽光谱响应的特性，与硅基光电探测器相比具有成本低廉，制备能耗低的特点，器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN108023019B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711372080.3
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 点，器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好本发明实施例提供了一种钙钛矿光电晶体 的兼容性。管及其制备方法，属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底，位于基础衬底上的漏源金属电极，金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层，所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层，所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开，基础衬底上方设有一层钝化层，所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构，具有暗电(56)对比文件Tak, Young Jun等.Boosting VisibleLight Absorption of Metal-Oxide-BasedPhototransistors via Heterogeneous In-Ga-Zn-O and CH3NH3PbI3 Films.ACS APPLIEDMATERIALS & INTERFACES.2018,第10卷(第15期),12854-12861.周航等.茚加成C60衍生物对萘二噻吩苯并噻二唑有机聚合物电池开路电压优化.第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会论文集.2014,114.
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公开(公告)号：CN207818623U
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201721777177.8
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本实用新型实施例提供了一种钙钛矿光电晶体管，属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底，位于基础衬底上的漏源金属电极，金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层，所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层，所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开，基础衬底上方设有一层钝化层，所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构，具有暗电流低、响应速度快、宽光谱响应的特性，与硅基光电探测器相比具有成本低廉，制备能耗低的特点，器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好的兼容性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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