公开(公告)号：CN103956314B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410183645.3

申请日：2014-05-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭士香 ,  任海涛 ,  徐源 ,  张滔 ,  张艾霖 ,  赵捷

IPC: H01J37/08

Abstract: 本发明提供了一种负氢离子源，尤其是一种采用2.45GHz微波驱动和全永磁结构的无铯的强流微波驱动负氢(H-)离子源。本发明采用了2.45GHz微波来产生等离子体；离子源磁场全部由永磁体产生；H-产生区域采用了钽材料的肩结构；H-产生区域采用了小孔径和横向偏转磁场。通过2.45GHz微波放电产生了大量的激发态氢分子(H2*)，适当的横向磁场使得高能电子无法进入H-产生区域，通过的低能电子在H-产生区域与H2*相互作用产生H-。钽材料的肩结构增加了在其表面产生H-的几率。H-产生区域的孔径较小阻止了微波加热该区域的电子，该区域的横向磁场偏转掉引出束流中的电子，使得最终得到流强高、电子比例低的H-离子束流。该负氢离子源主要用于为加速器提供负氢离子。

公开(公告)号：CN103956314A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410183645.3

申请日：2014-05-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭士香 ,  任海涛 ,  徐源 ,  张滔 ,  张艾霖 ,  赵捷

IPC: H01J37/08

Abstract: 本发明提供了一种负氢离子源，尤其是一种采用2.45GHz微波驱动和全永磁结构的无铯的强流微波驱动负氢(H-)离子源。本发明采用了2.45GHz微波来产生等离子体；离子源磁场全部由永磁体产生；H-产生区域采用了钽材料的肩结构；H-产生区域采用了小孔径和横向偏转磁场。通过2.45GHz微波放电产生了大量的激发态氢分子(H2*)，适当的横向磁场使得高能电子无法进入H-产生区域，通过的低能电子在H-产生区域与H2*相互作用产生H-。钽材料的肩结构增加了在其表面产生H-的几率。H-产生区域的孔径较小阻止了微波加热该区域的电子，该区域的横向磁场偏转掉引出束流中的电子，使得最终得到流强高、电子比例低的H-离子束流。该负氢离子源主要用于为加速器提供负氢离子。