-
公开(公告)号：CN104091887A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410183020.7
申请日：2014-04-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/424 , H01L51/0021 , H01L51/442
Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。
-
公开(公告)号：CN104091887B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410183020.7
申请日：2014-04-30
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所
-
公开(公告)号：CN103762227B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410031240.8
申请日：2014-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。
-
公开(公告)号：CN103762227A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410031240.8
申请日：2014-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
