公开(公告)号：CN103762227B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201410031240.8

申请日：2014-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  贡献 ,  喻韵璇 ,  刘冬 ,  刘晓彦 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。

公开(公告)号：CN103762227A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410031240.8

申请日：2014-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  贡献 ,  喻韵璇 ,  刘冬 ,  刘晓彦 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。