公开(公告)号：CN101021845A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610007245.2

申请日：2006-02-15

Applicant: 北京北大方正电子有限公司 ,  北京大学

Inventor： 谢理智 ,  刘冬 ,  吴星

IPC: G06F17/30

Abstract: 本发明涉及一种数据库记录调序方法，包括以下步骤：接收由交互界面传递的移动数据库记录至指定位置的指令；读取指定位置的相关位置的浮点数；根据相关位置的浮点数以及数据库中原数据库记录排列顺序确定指定位置的浮点数。该方法对数据库中的数据库记录进行调序时，其调序开销与数据量的大小以及调序的跨度无关，只对需要调整顺序的记录做顺序号的修改，从而快速高效的完成所有数据的顺序调整。

公开(公告)号：CN103762227B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201410031240.8

申请日：2014-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  贡献 ,  喻韵璇 ,  刘冬 ,  刘晓彦 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。

公开(公告)号：CN103762227A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410031240.8

申请日：2014-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  贡献 ,  喻韵璇 ,  刘冬 ,  刘晓彦 ,  韩德栋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。