公开(公告)号：CN114743577B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202210324321.1

申请日：2022-03-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 谷平凡 ,  叶堉

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明公开了一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法。利用二维反铁磁绝缘体CrOCl中的磁电耦合效应，通过对隧穿结施加电压脉冲来调控CrOCl磁相变过程中的亚稳态，从而实现使隧穿结的阻态可控地在一定范围内任意切换。本发明通过改变电压扫描的速度和幅值来决定隧穿结的阻态，并可以通过扫描磁场来擦除隧穿结中存储的信息，在单个器件中可实现一位十进制数据的存储，具有超小体积、超高性能的优点，有大规模应用的潜力。

公开(公告)号：CN114743577A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210324321.1

申请日：2022-03-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 谷平凡 ,  叶堉

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法。利用二维反铁磁绝缘体CrOCl中的磁电耦合效应，通过对隧穿结施加电压脉冲来调控CrOCl磁相变过程中的亚稳态，从而实现使隧穿结的阻态可控地在一定范围内任意切换。本发明通过改变电压扫描的速度和幅值来决定隧穿结的阻态，并可以通过扫描磁场来擦除隧穿结中存储的信息，在单个器件中可实现一位十进制数据的存储，具有超小体积、超高性能的优点，有大规模应用的潜力。