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公开(公告)号：CN1971852A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610144145.4
申请日：2006-11-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种生长高阻GaN薄膜的方法。本发明方法是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、退火和外延生长阶段，其中，在退火阶段，退火压力在75托以下。本发明方法通过降低退火阶段的反应室压力(称为退火压力)来增加成核岛密度，从而增加刃型位错，从而获得自补偿的高阻GaN薄膜，所得高阻GaN薄膜的方块电阻高，能达到1011Ω/sq以上，符合工业应用要求，并且表面平整度高。本发明方法简单易行，与现有MOCVD生长GaN基HEMT材料结构的工艺过程兼容，并且不会对MOCVD系统造成污染。
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