公开(公告)号：CN114639404B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202210232804.9

申请日：2022-03-11

Applicant: 北京大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 叶乐 ,  薛畅 ,  张奕涵 ,  陈沛毓 ,  朱明伟 ,  武蒙 ,  黄如

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模块，位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，耦合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同的低电平，也能将输入端的信号放大，耦合电荷消除模块可以将耦合放大模块两个输出端放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，防止了预充后两个节点电容上的电荷差、连接两个节点电容的两条支路的失配误差和上一次读出完成后的节点电容上的残余电荷对读出准确率的影响。

公开(公告)号：CN114678048A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210098641.X

申请日：2022-01-27

Applicant: 北京大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 叶乐 ,  薛畅 ,  张奕涵 ,  陈沛毓 ,  武天桥 ,  武蒙 ,  黄如

IPC: G11C11/16 ,  G11C5/14

Abstract: 本发明公开一种MRAM存储单元写入电路及存储芯片，该写入电路包括：写入模块、比较模块和终止控制模块；终止控制模块根据比较结果信号生成终止控制信号，该信号通过终止控制信号输出端、第一终止控制信号输入端、第二终止控制信号输入端和第三终止控制信号输入端分别传输至写入模块、比较模块和终止控制模块。其中的比较模块可根据终止控制信号控制与直流电源之间的连接，使得在写入完成后断开与直流电源的连接，从而减小比较模块的直流功耗；而终止控制模块可根据终止控制信号锁定终止控制信号输出端的输出结果，有效防止了终止控制模块输出结果的波动，消除了该波动引起的终止控制模块的动态功耗。

公开(公告)号：CN114639404A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210232804.9

申请日：2022-03-11

Applicant: 北京大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 叶乐 ,  薛畅 ,  张奕涵 ,  陈沛毓 ,  朱明伟 ,  武蒙 ,  黄如

IPC: G11C5/14 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模块，位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，耦合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同的低电平，也能将输入端的信号放大，耦合电荷消除模块可以将耦合放大模块两个输出端放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，防止了预充后两个节点电容上的电荷差、连接两个节点电容的两条支路的失配误差和上一次读出完成后的节点电容上的残余电荷对读出准确率的影响。

公开(公告)号：CN118915894A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410772184.7

申请日：2024-06-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾天宇 ,  董彦池 ,  武蒙 ,  景亦奇 ,  叶乐 ,  黄如

IPC: G06F1/3206 ,  G06F1/3234 ,  G06N3/0464 ,  G06F15/78

Abstract: 本发明公开一种两级事件驱动唤醒电路及SoC芯片，其中，两级事件驱动唤醒电路包括：第一级事件检测部分，用于常开的事件活动检测；第二级事件检测部分，根据特定应用配置的特定活动检测对第一级检测结果进行事件检测；当第一级检测出活动事件时，唤醒第二级事件检测部分启动工作，以进一步对第一级检测结果进行事件检测，若检测出特定活动事件，则唤醒后级的事件处理部分。本发明能够有效降低误唤醒而进一步降低功耗。